STY145N65M5

STY145N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和制造工艺，在650V的漏源电压（Vdss）等级下，实现了极低的导通电阻与开关损耗的卓越平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗，同时通过优化的栅极电荷特性来提升开关效率，这对于高频开关应用中的整体系统性能至关重要。

该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可支持高达138A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、69A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为15毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为414nC，结合18500pF @ 100V的输入电容（Ciss），确保了快速、可控的开关行为，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。

在接口与参数方面，STY145N65M5采用通孔安装的MAX247封装，该封装具有良好的热性能和机械强度。器件支持±25V的最大栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V @ 250A，具备良好的噪声抑制能力。在热管理上，其最大功率耗散可达625W（Tc），并且结温（TJ）最高可工作在150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、大电流、低损耗的特性组合，STY145N65M5非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和DC-DC变换级、大功率不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动以及电焊机等高性能电力电子系统。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减少散热需求，并增强功率转换单元的可靠性。

• 型号:STY145N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):138A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:414 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:18500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY145N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高效能功率转换，其核心优势在于650V的漏源电压（Vdss）和138A（Tc）的高连续电流处理能力。

器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至15毫欧 @ 69A，显著降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关速度和降低开关损耗。采用MAX247通孔封装，支持150°C的最高结温（TJ）和625W（Tc）的功率耗散，确保了在高功率应用中的热可靠性和稳定性。