STY60NM60

STY60NM60是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速开关特性和坚固性。

该器件具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的高压母线环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达60A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流的测试条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至55毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为266nC，结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装形式的MAX247封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（Tj）为150°C，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散可达560W，为设计者提供了充裕的热设计余量。其栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、大电流、低损耗及高可靠性的综合优势，STY60NM60非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、不间断电源（UPS）以及三相电机驱动和逆变器系统。在这些领域中，它能够有效提升整机能效，减少散热需求，并保障系统在恶劣电气环境下的长期稳定运行。

• 型号:STY60NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY60NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和60A连续漏极电流（Id），采用MAX247通孔封装，专为高功率应用设计。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、30A Id条件下典型值仅为55毫欧，配合266nC的低栅极电荷（Qg），实现了导通损耗与开关损耗的优异平衡。高达560W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最大结温，确保了其在严苛工况下的可靠性与散热性能，是工业电源、电机驱动和逆变器等高压大功率应用的理想选择。