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T2035H-6G-TR的图片

T2035H-6G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 20A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T2035H-6G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T2035H-6G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体晶闸管-TRIAC系列中的一款有源器件,T2035H-6G-TR是一款采用无缓冲器设计的双向可控硅(TRIAC ALTERNISTOR)。该器件采用单路配置,其核心设计旨在实现高效、可靠的交流负载切换与控制。其架构优化了导通与关断特性,确保在广泛的交流相位角控制应用中都能提供稳定的性能。

该芯片的核心优势在于其600V的高断态电压20A的RMS通态电流能力,这使其能够承受工业级应用中的高压应力并处理可观的负载电流。其栅极触发特性尤为突出,最大栅极触发电压(Vgt)仅为1V,最大栅极触发电流(Igt)为35mA,这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、高效地驱动,简化了外围驱动电路的设计。同时,其保持电流(Ih)同样为35mA,确保了触发后的稳定导通状态。为了应对现实应用中的瞬时过载,该器件具备强大的抗浪涌能力,其非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz下分别高达200A和210A,提供了出色的鲁棒性。

在接口与物理参数方面,T2035H-6G-TR采用了表面贴装型的DPak封装(TO-263-3),这种封装具有良好的散热性能,便于在自动化生产线上进行高效焊接。其宽泛的工作结温范围(-40°C ~ 150°C TJ)使其能够适应从寒冷环境到高温工业现场的各种苛刻条件,保证了系统的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取该器件及相关设计资源。

基于上述技术特性,T2035H-6G-TR非常适合于需要相位控制或固态继电器的中高功率交流应用场景。典型应用包括工业电机控制、交流电源开关、照明调光系统、加热器控制以及家用电器中的电机驱动等。其高电压、大电流处理能力结合易驱动的特性,使其成为工程师在设计和升级交流功率控制模块时的一个可靠选择。

  • 型号:T2035H-6G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 20A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):200A,210A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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T2035H-6G-TR是ST意法半导体推出的一款高性能双向可控硅,采用无缓冲器设计和DPak表面贴装封装。其核心电气参数包括600V断态电压和20A RMS通态电流,能够稳健处理中高功率交流负载。

该器件的关键优势在于其极低的驱动需求,最大栅极触发电压仅1V,触发电流35mA,可直接由微控制器接口驱动,显著简化了电路设计。同时,它具备高达200A/210A的浪涌电流承受能力和-40°C至150°C的宽工作结温范围,确保了在恶劣电气环境及温度条件下的高可靠性与鲁棒性。

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