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T2035H-6I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNSTR 600V 20A TO220AB
原厂封装:封装:TO-220AB 整包
优势价格,T2035H-6I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T2035H-6I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T2035H-6I是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC)器件,采用标准的TO-220ABFP通孔封装。该器件基于先进的平面钝化技术构建,其核心是一个无缓冲器(Snubberless)设计的双向可控硅结构,能够在交流电的两个半周期内实现精确的相位控制。这种架构确保了器件在切换过程中具有优异的动态特性,特别是在应对高dv/dt(电压变化率)和di/dt(电流变化率)应力时表现出色,有效降低了因电压尖峰或电流浪涌导致的误触发风险,提升了系统的整体可靠性。

在功能特性方面,T2035H-6I的突出优势在于其600V的高断态重复峰值电压20A的RMS通态电流能力,这使其能够胜任多数中高功率的交流负载控制。其栅极触发特性尤为出色,最大触发电压(Vgt)仅为1V,最大触发电流(Igt)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器或逻辑电平信号轻松驱动,简化了外围驱动电路的设计。同时,其保持电流(Ih)同样为35mA,确保了在负载电流较低时也能维持稳定导通。该器件具备强大的抗浪涌能力,其非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz条件下分别高达200A和210A,为应对启动冲击或短路等异常工况提供了充足的裕量。

从接口与参数来看,T2035H-6I是一款单路配置的器件,封装形式为经典的TO-220-3,便于安装散热器以应对高功率耗散。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,使其能够适应严苛的工业环境温度变化。对于需要可靠元器件供应的设计项目,通过ST一级代理进行采购是确保产品正品与稳定货源的重要渠道。这些参数共同定义了一款坚固耐用、易于控制且性能强大的功率开关器件。

基于其稳健的性能参数,T2035H-6I非常适合于各类需要对交流电源进行相位控制或开关控制的场景。典型应用包括工业领域的交流电机调速、固态继电器(SSR)、软启动器,以及消费电子和家用电器中的调光器、加热器功率控制、通用交流开关等。其无缓冲器设计特别适用于感性负载(如电机、变压器)控制,能够有效减少缓冲电路元件,从而降低系统成本和体积,是实现高效、紧凑型交流功率控制方案的理想选择。

  • 型号:T2035H-6I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 整包
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNSTR 600V 20A TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):200A,210A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220AB 整包
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T2035H-6I是ST意法半导体生产的一款高性能、无缓冲器三端双向可控硅(TRIAC),采用TO-220ABFP封装。该器件核心优势在于其600V的断态电压20A的RMS通态电流能力,结合高达200A/210A的非重复浪涌电流,提供了强大的功率处理与抗冲击韧性。

其设计注重易用性与可靠性,具备极低的栅极触发要求(Vgt(max)=1V, Igt(max)=35mA),可直接由低压逻辑电路驱动,简化了系统设计。宽泛的工作结温范围(-40°C ~ 150°C TJ)确保了其在恶劣环境下的稳定运行,适用于要求严苛的工业与消费类交流控制应用。

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