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T2035T-8G

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 20A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T2035T-8G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T2035T-8G的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T2035T-8G是ST意法半导体推出的一款高性能双向可控硅(TRIAC)器件,采用先进的平面钝化工艺制造,属于无缓冲器(Snubberless)系列。该器件设计用于在交流负载控制中提供高效、可靠的开关功能,其核心架构基于单芯片集成技术,确保了在高压、大电流工作条件下的稳定性和耐用性。晶闸管结构优化了载流子寿命和导通特性,使得器件在触发后能够维持低导通压降,同时具备优异的抗浪涌电流能力,这对于频繁开关或存在电压尖峰的应用环境至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其断态电压高达800V,为应对电网波动和感性负载关断时产生的电压过冲提供了充足的安全裕量。通态有效电流(It(RMS))最大值为20A,使其能够直接驱动中等功率的交流负载,如电机、加热器和照明设备。作为一款无缓冲器型双向可控硅,它内部集成了优化的动态性能,能够有效抑制由高dV/dt(电压变化率)引起的误触发,从而简化了外部缓冲电路的设计,降低了系统成本和PCB面积。此外,其栅极触发电压(Vgt)最大值仅为1V,触发电流(Igt)最大值为35mA,表明其具有高灵敏度的门极驱动特性,易于被微控制器或逻辑电路直接驱动,简化了驱动级设计。

在接口与参数方面,T2035T-8G采用标准的TO-263AB(DPak)表面贴装封装,这种封装具有良好的散热性能,通过底部的金属裸露焊盘(接片)可以高效地将热量传导至PCB的铜箔或外部散热器。其工作结温(TJ)范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛工业环境下的可靠运行。器件的保持电流(Ih)最大值为45mA,有助于在低负载电流下维持稳定导通。其非重复浪涌电流(Itsm)能力在50Hz和60Hz条件下分别达到168A和160A,提供了强大的抗瞬时过载能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购和获取相关设计资源。

凭借其高电压、大电流、高结温以及简化的驱动要求,T2035T-8G非常适合于一系列要求严苛的工业与消费类应用。典型应用场景包括工业交流电机控制、固态继电器(SSR)、交流电源开关、温度控制器、调光器以及家用电器(如洗衣机、空调、咖啡机)中的功率控制模块。其表面贴装形式也顺应了现代电子产品向高密度、自动化生产发展的趋势,是工程师设计紧凑、高效、可靠交流功率控制方案的优选器件。

  • 型号:T2035T-8G
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 20A D2PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):168A,160A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):45 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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T2035T-8G是ST意法半导体生产的一款有源、表面贴装型双向可控硅,属于无缓冲器系列。该器件核心参数包括800V的高断态电压和20A的最大通态有效电流,为其在交流开关应用中提供了强大的功率处理能力和电压耐受性。

其设计亮点在于高灵敏度门极驱动(Vgt≤1V, Igt≤35mA)以及高达150°C的工作结温,简化了驱动电路并确保了高温环境下的可靠性。采用TO-263AB(DPak)封装,具备优异的散热性能,结合168A/160A(50/60Hz)的非重复浪涌电流能力,使其成为工业电机控制、固态继电器和家电功率管理等应用的稳健选择。

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