T835-600B

T835-600B是ST意法半导体推出的一款高性能双向可控硅（TRIAC），采用先进的平面钝化工艺制造，专为要求高可靠性和高效率的交流负载控制应用而设计。该器件属于无缓冲器（Snubberless）系列，其核心架构优化了硅片设计和触发机制，能够在广泛的负载条件下实现稳定、平滑的导通，有效抑制电压尖峰和电流浪涌，从而简化外围电路设计并提升系统整体鲁棒性。

该器件具备600V的高断态重复峰值电压（VDRM），为市电应用提供了充足的电压裕量，增强了在电网波动或感性负载切换过程中的抗冲击能力。其通态有效电流（IT(RMS)）额定值为8A，结合优化的热阻封装，能够处理可观的功率。触发特性方面，最大栅极触发电压（VGT）仅为1.3V，触发电流（IGT）最大值为35mA，这一低电平触发特性使其能够与微控制器（MCU）或逻辑电路直接接口，无需复杂的驱动放大电路，显著降低了系统复杂度和成本。同时，其保持电流（IH）同样为35mA，确保了在轻负载条件下的稳定维持导通。

在封装与接口方面，T835-600B采用表面贴装型TO-252-3（DPak）封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产贴装。其工作结温范围宽达-40°C 至 125°C，适用于严苛的环境条件。该器件还具备出色的抗浪涌电流能力，其非重复浪涌电流（ITSM）在50Hz和60Hz条件下分别达到80A和84A，能够有效承受启动瞬间或故障状态下的电流冲击。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于其稳健的性能参数，T835-600B非常适合于各类中功率交流相位控制或开关应用。典型应用场景包括家用电器（如调光器、风扇调速器、咖啡机、吸尘器电机控制）、工业控制（小型交流电机驱动、固态继电器、加热器控制）以及楼宇自动化（照明控制、空调系统）等领域。其无缓冲器设计特别适用于驱动感性负载（如电机、变压器），能有效减少元件数量并提升系统可靠性，是工程师实现紧凑、高效、可靠交流功率控制的理想选择。

• 型号:T835-600B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A DPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:600 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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T835-600B是ST意法半导体生产的一款表面贴装、无缓冲器型双向可控硅。该器件核心特性包括600V的高断态电压和8A的通态有效电流，为交流负载控制提供了坚实的功率处理基础。

其突出的技术优势在于极低的触发需求，最大栅极触发电压仅1.3V，触发电流35mA，可直接由微控制器驱动，极大简化了驱动电路设计。同时，高达80A的浪涌电流承受能力和-40°C至125°C的宽工作结温范围，确保了其在各种严苛应用环境下的高可靠性和稳定性。