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T835-800B-TR的图片

T835-800B-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,T835-800B-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T835-800B-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T835-800B-TR是ST意法半导体推出的TRIAC(双向可控硅)系列中的一款高性能功率开关器件。该器件采用无缓冲器设计,核心是一个在单个硅片上集成的双向半导体开关,能够在交流电的两个半周期内进行导通控制。其结构确保了在高达800V的断态电压下保持可靠的关断特性,同时通过优化的门极触发机制,实现了对导通相位的精确控制,从而有效管理负载功率。

该器件具备多项突出的功能特性。800V的高断态电压额定值使其能够从容应对工业电网中常见的电压波动和瞬态过压,提升了系统的可靠性与鲁棒性。其通态电流有效值高达8A,能够驱动中等功率的交流负载,如电机、加热器等。更值得关注的是其优异的触发性能,最大栅极触发电压仅为1.3V,最大栅极触发电流为35mA,这意味着它可以使用低功耗的逻辑电平信号或微控制器直接驱动,简化了外围驱动电路的设计。高达80A(50Hz)和84A(60Hz)的非重复浪涌电流承受能力,为应对启动电流冲击或短路等异常情况提供了充足的安全裕度。

在接口与参数方面,T835-800B-TR采用标准的TO-252-3(DPak)表面贴装封装,这种封装具有良好的散热性能和机械强度,便于自动化生产。其配置为单路,引脚定义清晰,便于在PCB上布局。器件的工作结温范围宽达-40°C至125°C,确保其能在苛刻的工业环境温度下稳定运行。其保持电流最大为35mA,有助于在低负载电流下维持导通状态,避免误关断。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高电压、中等电流能力以及易于驱动的特性,T835-800B-TR非常适合应用于各种需要对交流电源进行相位控制的场景。典型应用包括家用电器中的电机调速(如风扇、食品加工机)、调光器、固态继电器、工业自动化设备中的加热控制单元以及小型电源的软启动电路。其表面贴装形式也使其成为空间受限的紧凑型设计的理想选择。

  • 型号:T835-800B-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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T835-800B-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装型双向可控硅(TRIAC)。该器件核心设计用于交流负载的相位控制,其关键参数定义了其高性能与高可靠性:800V的断态电压提供了强大的过压耐受能力,8A的RMS通态电流使其适用于中等功率应用。

器件的触发特性尤为突出,仅需最大1.3V的栅极电压和35mA的栅极电流即可导通,极大简化了驱动电路设计。同时,其宽工作温度范围(-40°C至125°C)和高达80A以上的浪涌电流承受能力,确保了在工业级环境与严苛电气条件下的稳定运行。

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