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T835T-8FP的图片

T835T-8FP

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTRNSTR 800V 8A TO220FPAB
原厂封装:封装:TO-220FPAB
优势价格,T835T-8FP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T835T-8FP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T835T-8FP是一款由ST意法半导体设计和制造的高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC),采用标准的TO-220FPAB绝缘封装。该器件属于ALTERNISTOR系列,其核心架构基于先进的平面钝化技术,确保了在高压环境下稳定的阻断能力和可靠的开关特性。内部采用单芯片集成设计,集成了两个反并联的晶闸管结构,实现了对交流电的双向控制,无需额外的整流桥或复杂的外围电路,简化了系统设计并提升了整体能效。

该器件在功能上表现出色,其800V的高断态重复峰值电压(VDRM使其能够承受严苛的电网波动和感性负载产生的电压尖峰,为电机控制、加热调节等应用提供了充足的安全裕量。同时,8A的RMS通态电流额定值确保了其能够处理可观的负载功率。其触发特性经过优化,最大栅极触发电压(VGT)仅为1.3V,最大栅极触发电流(IGT)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器或逻辑电平信号轻松驱动,降低了驱动电路的成本和复杂度。此外,高达63A(60Hz)的非重复浪涌电流承受能力,使其能够有效应对负载启动或故障条件下的瞬时大电流冲击。

在接口与参数方面,T835T-8FP提供标准的通孔安装三引脚(MT1, MT2, Gate)接口,兼容TO-220封装的标准散热器和PCB布局。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,适应工业级和消费级产品的各种环境要求。较低的保持电流(IH最大40mA)特性,有助于在轻负载或低导通角情况下维持稳定导通,减少误关断风险。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其稳健的性能参数,该器件非常适合应用于需要相位控制或零交叉开关的交流负载管理场景。典型应用包括家用电器(如洗衣机、风扇、咖啡机的电机调速和加热控制)、工业自动化(交流电机驱动器、固态继电器)、照明调光系统以及电源开关和转换电路。其无缓冲器(Snubberless)设计特别适合在电阻性或轻微感性负载中直接使用,进一步简化了电路保护设计,是实现紧凑、高效、可靠交流功率控制的理想选择。

  • 型号:T835T-8FP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FPAB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTRNSTR 800V 8A TO220FPAB
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FPAB
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T835T-8FP是ST意法半导体推出的一款800V/8A三端双向可控硅,采用TO-220FPAB绝缘封装。该器件核心优势在于其高电压阻断能力和稳健的电流处理特性,断态电压达800V,RMS通态电流为8A,并能承受高达63A的浪涌电流,为应对电网干扰和负载冲击提供了可靠保障。

其优化的触发参数(VGT最大1.3V,IGT最大35mA)允许直接由低压逻辑电路驱动,简化了系统设计。宽工作结温范围(-40°C至150°C)和较低的保持电流使其适用于要求严苛的工业与消费电子环境,是实现交流相位控制、电机调速和固态开关功能的高性价比解决方案。

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