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T835T-8I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220
原厂封装:封装:TO-220AB 绝缘
优势价格,T835T-8I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T835T-8I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T835T-8I是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能无缓冲(Snubberless)三端双向可控硅(TRIAC)。该器件采用先进的半导体工艺和结构设计,旨在提供高可靠性的交流负载开关控制。其核心架构优化了载流子寿命和导通特性,使得在关断过程中能够有效抑制电压上升率(dV/dt)引发的误触发,从而在大多数阻性和感性负载应用中无需外接缓冲(RC snubber)电路,这简化了外围设计并提升了系统整体可靠性。

该器件具备多项突出的功能特性。其断态重复峰值电压(VDRM)高达800V,为应对电网波动和感性负载关断产生的电压尖峰提供了充足的裕量,确保了在严苛电气环境下的稳定运行。通态有效电流(IT(RMS))最大值为8A,结合其TO-220-3通孔封装带来的优良散热性能,使其能够直接驱动中等功率的电机、加热器及照明设备。其栅极触发特性经过精心设计,最大触发电压(VGT)仅为1.3V,最大触发电流(IGT)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器(MCU)或逻辑电平信号轻松驱动,极大简化了驱动电路设计。此外,其非重复浪涌电流(ITSM)在50Hz和60Hz条件下分别可达60A和63A,优异的抗浪涌能力使其能够承受电机启动等场景下的瞬时大电流冲击。

在接口与参数方面,T835T-8I是一款单路配置的标准三端器件(MT1, MT2, Gate)。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,适用于工业、家电等各类温度变化显著的应用环境。保持电流(IH)最大值为40mA,有助于在轻负载条件下维持稳定导通。得益于其无缓冲设计,工程师可以减少板上元件数量,降低BOM成本和PCB空间占用,同时提升系统的长期稳定性。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其稳健的性能,T835T-8I非常适合多种交流功率控制场景。典型应用包括家用电器(如洗衣机、空调、咖啡机的电机和加热器控制)、工业自动化(小型交流电机、电磁阀和接触器的驱动)以及建筑自动化(如照明调光器和风扇速度控制器)。其高电压额定值和抗浪涌能力使其成为替换传统机械继电器或需要外接缓冲电路的标准TRIAC的理想升级选择,为设计紧凑、高效且可靠的交流开关解决方案提供了有力支撑。

  • 型号:T835T-8I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • 想获取T835T-8I的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T835T-8I是ST意法半导体生产的一款8A无缓冲三端双向可控硅。该器件核心优势在于其800V的高断态电压和8A的通态电流能力,结合其无缓冲(Snubberless)技术,可直接用于控制阻性和感性负载,无需外部缓冲电路,简化了系统设计并提高了可靠性。

其栅极触发特性优异,最大触发电压仅1.3V,触发电流35mA,便于微控制器直接驱动。器件工作结温范围宽(-40°C ~ 150°C),采用TO-220-3通孔封装,具有良好的散热性能和功率处理能力,非重复浪涌电流最高可达63A,能有效应对电机启动等浪涌电流冲击。

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