TD350ETR

TD350ETR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能单通道高端栅极驱动器，采用14-SOIC封装，专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT而优化设计。其核心架构基于一个稳定的电平位移和驱动电路，能够在高达26V的供电电压下可靠工作，并确保逻辑侧与高压功率侧之间的有效电气隔离。该器件集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，防止功率开关在栅极电压不足时导通，从而提升了系统的鲁棒性。

该驱动器具备出色的动态性能，其典型上升和下降时间分别为130ns和75ns，能够实现功率器件的快速开关，有效降低开关损耗。峰值输出电流能力达到拉出2.3A、灌入1.5A，为功率管的栅极电容提供强劲的充放电能力，尤其适合驱动具有较大栅极电荷（Qg）的MOSFET，确保开关波形陡峭，减少开关过渡时间。其输入逻辑兼容TTL/CMOS电平，阈值设计为VIL=0.8V，VIH=4.2V，提供了良好的噪声容限，可直接与微控制器或数字信号处理器接口。

在接口与参数方面，TD350ETR采用非反相输入配置，简化了控制逻辑。其工作电压范围宽达12V至26V，为自举电路或其他偏置电源方案提供了灵活性。器件结温工作范围覆盖-40°C至150°C，采用表面贴装型封装，满足工业级应用的严苛环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询。

凭借其高端驱动配置、快速开关能力与宽电压范围，该芯片广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动、不间断电源（UPS）以及DC-DC转换器等功率电子系统中。它特别适用于需要高效、紧凑设计的半桥或全桥拓扑中的高端开关驱动，是提升系统功率密度和效率的关键组件。

• 型号:TD350ETR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
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TD350ETR是ST意法半导体生产的一款有源、单通道、高端栅极驱动器IC，属于电源管理IC - 栅极驱动器产品系列。该器件采用14-SOIC表面贴装封装，提供卷带（TR）或剪切带（CT）包装，便于自动化生产。

其核心特性包括宽范围供电电压（12V至26V）、强大的峰值驱动电流（拉出2.3A，灌入1.5A）以及快速的开关速度（典型上升/下降时间130ns/75ns），专为高效驱动IGBT和N沟道MOSFET而设计。器件支持非反相逻辑输入，具备良好的噪声抑制能力（VIL/VIH：0.8V/4.2V），并可在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作，适用于要求高可靠性的工业与汽车功率应用场景。