TD352IN

TD352IN是ST意法半导体推出的一款高性能单通道高端栅极驱动器集成电路，采用经典的8引脚DIP通孔封装。该器件专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT设计，其核心架构基于一个集成了电平转换和自举功能的高压驱动单元，能够有效隔离逻辑控制信号与高功率开关侧，确保在复杂功率拓扑中的稳定可靠运行。

该驱动器具备非反相输入逻辑，输入阈值设计兼容宽范围逻辑电平，其逻辑低电平（VIL）和高电平（VIH）分别为0.8V和4.2V，使其能够轻松与微控制器、DSP或标准逻辑电路接口。其供电电压范围宽达12V至26V，为栅极驱动提供了充足的电压裕度。在输出性能上，TD352IN展现出强劲的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到1.7A和1.3A，结合典型值仅为100纳秒的快速上升与下降时间，能够显著降低开关损耗，优化功率转换效率，尤其适用于要求快速开关动作的应用。

在接口与参数方面，该器件采用单路高端驱动配置，需要配合外部自举二极管和电容来为高端开关提供浮动电源。其坚固的设计保证了在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业级环境的严苛要求。工程师在选型时，可通过正规的ST代理商获取详细的技术资料与支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中进行替代选型时需予以考虑。

得益于其高性能与可靠性，TD352IN非常适合应用于各类需要高效、可靠高端驱动的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的半桥或全桥拓扑、电机驱动与控制系统中的逆变器桥臂、以及不间断电源（UPS）和工业变频器中的功率开关模块。其通孔封装形式也为原型验证和某些对机械强度有要求的工业设备提供了便利。

• 型号:TD352IN
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
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TD352IN是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，采用8-DIP通孔封装。该器件设计用于驱动N沟道MOSFET或IGBT，其宽范围供电电压（12V-26V）和兼容性良好的逻辑输入（VIL/VIH: 0.8V/4.2V）使其易于集成到各类控制系统中。

其核心优势在于提供高达1.7A（拉）和1.3A（灌）的峰值输出电流，并具备快速的开关特性（典型上升/下降时间100ns），能有效驱动功率开关管实现高效、低损耗的切换。器件工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在苛刻工业环境下的稳定性和耐用性。