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THBT20011D的图片

THBT20011D

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > 晶闸管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:THYRISTOR 200V 30A 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,THBT20011D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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THBT20011D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

THBT20011D是ST意法半导体推出的TRISIL系列晶闸管浪涌保护器件,采用紧凑的8引脚SOIC表面贴装封装。该器件内部集成了三个独立的晶闸管元件,构成一个三端双向保护结构,专门设计用于在通信线路、数据端口和电源接口上提供可靠的过压浪涌保护。其核心工作机制基于晶闸管的转折特性,当线路上的瞬态电压超过其预设的转折电压时,器件会迅速从高阻抗状态切换到低阻抗状态,将浪涌能量泄放到地,从而将受保护端口的电压钳位在一个安全水平,并在浪涌过后自动复位。

该器件具备200V的断态工作电压290V的导通电压,能够有效抵御常见的感应雷击、静电放电(ESD)及开关瞬变等威胁。30A的峰值脉冲电流(10/1000s波形)处理能力,确保了其在面对中等强度浪涌事件时的坚固性。其150mA的保持电流特性,使得浪涌事件结束后,只要线路电流低于此值,器件便能可靠关断,恢复正常的高阻状态,无需外部复位电路,实现了“自恢复”保护。此外,80pF的低电容值使其非常适合应用于高速数据线路(如以太网、RS-485等),能最大程度地减少对信号完整性的影响。

在接口与参数方面,THBT20011D采用标准的表面贴装工艺,便于自动化生产。其关键电气参数围绕浪涌防护的核心需求设定,断态电压与导通电压的差值提供了明确的动作阈值,而30A的浪涌电流能力则定义了其防护等级。用户可通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品支持以及针对停产物料的替代方案咨询。该器件适用于需要符合IEC 61000-4-5(浪涌抗扰度)等电磁兼容标准的设备设计。

鉴于其技术特性,THBT20011D典型应用于电信网络设备(如xDSL调制解调器、ONU)、工业控制系统的通信模块(RS-232/422/485接口)、安防监控设备的视频/数据线端口以及消费电子产品的AC/DC电源输入端。它为这些场景中的敏感集成电路提供了一道有效的二级或三级保护屏障,提升了终端产品的可靠性与使用寿命。尽管该型号目前已处于停产状态,但其设计理念和参数选型对于同类保护器件的应用仍具有重要的参考价值。

  • 型号:THBT20011D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > 晶闸管
  • 描述:THYRISTOR 200V 30A 8-SOIC
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 导通:290V
  • 电压 - 断态:200V
  • 电压 - 通态:-
  • 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
  • 电流 - 保持 (Ih):150 mA
  • 元件数:3
  • 电容:80pF
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取THBT20011D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

THBT20011D是ST意法半导体THBT系列中的一款三端双向晶闸管浪涌保护器件,采用8SOIC封装。该器件设计用于为电子线路提供高效的过压瞬态抑制,其核心参数包括200V断态电压、290V导通电压以及可承受30A(10/1000s波形)的峰值脉冲电流。

器件具备150mA的保持电流,支持浪涌事件后的自动复位,无需外部干预。其80pF的低结电容特性,使其在提供强大浪涌保护的同时,能最大限度地减少对高速数据信号完整性的影响,非常适合通信接口和电源线的保护应用。

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