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TIP141

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO-218
原厂封装:封装:TO-218
优势价格,TIP141的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TIP141的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TIP141是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管,采用经典的TO-218-3(亦常标记为TO-247)通孔封装,专为高电流、中功率开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于达林顿对管结构,由两个NPN晶体管以复合形式连接,这种设计在单级放大中实现了极高的电流增益。内部通常集成有加速二极管和泄放电阻,前者用于改善开关速度,后者则为基极驱动电流提供泄放通路,增强了器件的稳定性和易用性。

该器件在功能上表现出显著的优势。其高达1000倍(典型值@5A, 4V)的直流电流增益(hFE)是核心亮点,这意味着仅需很小的基极驱动电流即可控制高达10安培的集电极负载电流,极大地简化了前级驱动电路的设计,降低了驱动功耗和复杂度。同时,80V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)使其能够胜任多种中压应用环境。尽管处于饱和状态时,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))在10A电流下典型值为2V(最大3V),这会带来一定的导通损耗,但对于许多开关应用而言,其高增益带来的驱动简化优势更为关键。其最大功耗为125W,结合通孔封装良好的散热特性,使其能够处理可观的功率。

在电气参数方面,TIP141定义了明确的工作边界。集电极连续电流(IC)额定值为10A,峰值电流能力更高,确保了其承载能力。其工作结温(TJ)最高可达150°C,提供了较宽的安全工作温度范围。需要注意的是,该器件未指定典型的过渡频率(fT)参数,这暗示其更侧重于低频或直流至中频的功率控制与开关应用,而非高频射频领域。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过正规的ST中国代理进行采购咨询。

基于其高电流增益、中压能力和坚固的封装,TIP141非常适合应用于需要简化驱动电路的功率控制场景。典型应用包括音频功率放大器的输出级、线性稳压电源的调整管、电机驱动控制器(如直流电机或步进电机的H桥驱动)、电磁阀或继电器的驱动电路,以及各种工业控制设备中的通用开关。其设计旨在为工程师提供一个可靠、易于实施的大电流开关解决方案。

  • 型号:TIP141
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-218
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO-218
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 40mA,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):2mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 5A,4V
  • 功率 - 最大值:125 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-218-3
  • 供应商器件封装:TO-218
  • 想获取TIP141的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TIP141是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用TO-218-3/TO-247通孔封装。其核心特性在于极高的电流放大能力,在5A集电极电流下最小直流电流增益(hFE)可达1000倍,这使得它能够用极小的基极驱动电流控制高达10A的负载电流,显著简化了前级驱动电路的设计。

该器件具备80V的集电极-发射极击穿电压和125W的最大功耗能力,适用于中压、大电流的开关及线性放大场景。其典型应用涵盖音频放大器、电机驱动、电源调整以及工业控制中的功率开关接口。尽管该产品目前已停产,但其设计参数仍代表了此类达林顿晶体管在易用性与功率处理能力之间的经典平衡。

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