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TLP200G-1的图片

TLP200G-1

ST图标
TVS - 晶闸管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:THYRISTOR 100A TO262-3
原厂封装:电压-断态:-
优势价格,TLP200G-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TLP200G-1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TLP200G-1是意法半导体(STMicroelectronics)TLP系列中的一款单向晶闸管浪涌保护器件(Thyristor Surge Protection Device, TSPD),采用TO-262-3通孔封装。该器件专为在交流或直流线路中提供坚固的过压和浪涌电流保护而设计,其核心工作原理基于半导体PNPN结构。当线路电压超过其预设的290V转折电压(Breakover Voltage)时,器件会迅速从高阻态切换到低阻态,将危险的过电压钳位到一个较低的水平,并通过泄放巨大的浪涌电流(如100A, 10/1000s波形)来保护后端敏感电路。一旦触发,它会保持导通状态,直到线路电流低于其150mA的保持电流(Ih),随后自动恢复至高阻态,准备应对下一次浪涌事件。

该器件的一个显著功能特点是其响应速度极快,能在纳秒级时间内响应电压突变,有效抑制闪电感应浪涌、感性负载切换等产生的瞬态过压。其290V的导通电压阈值经过优化,适用于许多标准供电线路的防护需求。同时,110pF的典型电容值确保了其在正常工作状态下对信号线路的影响极小,不会引入显著的信号完整性或功耗问题。对于需要可靠保护方案的客户,通过正规的ST一级代理渠道进行采购,是确保获得原装正品和完整技术支持的重要途径。

在电气参数方面,TLP200G-1定义了明确的操作边界。其核心参数包括290V的导通电压、100A(10/1000s波形)的峰值脉冲电流处理能力以及150mA的保持电流。TO-262-3封装提供了良好的机械强度和散热性能,便于在PCB板上进行通孔焊接安装,适合在空间和散热要求相对宽松的应用环境中部署。需要注意的是,该器件为单向保护,适用于有明确极性定义的直流线路或需要分别保护相线/零线的交流线路。

基于其强大的浪涌泄放能力和可靠的电压钳位特性,TLP200G-1非常适合部署在需要对瞬态电压进行初级或次级防护的领域。典型应用场景包括工业自动化控制系统的电源输入端口、通信设备(如DSL调制解调器、基站)的线路接口保护、消费电子的AC-DC电源适配器,以及汽车电子中某些需要高压浪涌防护的模块。它常与气体放电管(GDT)、压敏电阻(MOV)或TVS二极管等器件构成多级保护电路,以应对不同能量等级和速度的威胁,共同构建起坚固的电路保护屏障。

  • 制造商产品型号:TLP200G-1
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:THYRISTOR 100A TO262-3
  • 系列:TVS - 晶闸管
  • 产品系列:TLP
  • 零件状态:停产
  • 电压-导通:290V
  • 电压-断态:-
  • 电压-通态:-
  • 电流-峰值脉冲(8/20s):-
  • 电流-峰值脉冲(10/1000s):100A
  • 电流-保持(Ih):150mA
  • 元件数:1
  • 电容:110pF
  • 安装类型:通孔
  • 想获取TLP200G-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TLP200G-1是ST意法半导体推出的一款单向晶闸管浪涌保护器件,采用TO-262-3通孔封装。该器件核心功能是在线路电压超过290V时迅速导通,将过电压钳位并泄放高达100A(10/1000s波形)的峰值脉冲浪涌电流,从而为后端电路提供强有力的保护。

其技术特性包括150mA的保持电流和110pF的典型电容,确保了在触发后能可靠维持导通直至威胁消除,并在正常工作时对线路影响极小。这款器件主要面向需要应对雷击感应、开关浪涌等瞬态过压威胁的工业控制、通信设备和电源系统的保护电路设计。

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