TMBAT49FILM是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能肖特基势垒二极管,采用经典的MELF(DO-213AB)表面贴装封装。该器件基于优化的肖特基结技术构建,其核心在于利用金属与半导体接触形成的势垒,实现了极低的正向导通压降和快速的开关特性。这种架构避免了传统PN结二极管中少数载流子存储效应带来的延迟,使其在高速开关应用中表现出色,同时保持了良好的热稳定性和可靠性。
该二极管在正向导通时表现出优异的效率,在100mA的测试条件下,其正向压降(Vf)典型值仅为420mV,这有助于显著降低系统在低电压、大电流工作状态下的导通损耗和热耗散。其反向耐压(Vr)最高可达80V,平均整流电流(Io)为500mA,能够满足多种中等功率场景的需求。其反向漏电流在80V反向电压下被严格控制在200A以内,确保了关断状态下的低功耗和高阻态稳定性。此外,器件具备快速恢复特性,恢复时间通常小于500纳秒(在Io > 200mA条件下),这使其非常适合应用于高频整流和续流电路。
在接口与参数方面,TMBAT49FILM采用标准的MELF封装,便于自动化表面贴装生产,并提供了良好的功率处理能力和散热特性。其结电容在0V偏压和1MHz测试频率下为120pF,较低的寄生电容进一步支持了其在高速开关环境下的性能。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件和技术支持。该器件目前处于有源(Active)状态,保证了长期供货和设计连续性。
得益于其低Vf、快速开关和80V耐压的组合,TMBAT49FILM非常适合应用于开关电源(SMPS)中的次级整流、高频DC-DC转换器的续流二极管、反极性保护电路以及低压差线性稳压器(LDO)的输入保护等场景。其MELF封装也使其在空间受限但对功率和可靠性有要求的汽车电子、工业控制及消费类电源适配器中成为理想选择。
TMBAT49FILM是ST意法半导体推出的一款80V、500mA肖特基整流二极管,采用MELF表面贴装封装。其核心优势在于极低的正向导通压降(典型值420mV @ 100mA)和快速的开关速度(恢复时间 < 500ns),能有效提升电源转换效率并减少开关损耗。
该器件在80V反向电压下的漏电流仅为200A,并具有120pF的低结电容,确保了高效能与低功耗的平衡。其紧凑的DO-213AB(MELF)封装适合自动化贴装,主要面向需要高效率和高频操作的开关电源次级整流、DC-DC转换器续流及电路保护等应用。