TRD136DT4

TRD136DT4是ST意法半导体推出的一款高压、中功率NPN双极性晶体管（BJT），采用表面贴装DPak封装。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心架构旨在提供稳健的高压开关和线性放大能力。集电极-发射极击穿电压高达400V，使其能够在市电整流后或类似的高压直流母线环境中稳定工作，而3A的连续集电极电流能力则确保了其在驱动电机、继电器或作为开关电源初级侧开关时具备足够的电流处理裕量。

在功能特性上，该晶体管展现了良好的饱和特性，在2A集电极电流和500mA基极电流条件下，其集电极-发射极饱和压降典型值仅为1V，这有助于降低器件在完全开启状态下的导通损耗，提升整体能效。直流电流增益（hFE）在2A、5V条件下最小值为10，这一参数保证了在驱动较大负载电流时，所需的基极驱动电流处于合理且易于管理的水平。其最大功耗为20W，结合DPak封装良好的热性能，能够通过PCB散热将结温控制在150°C的最大额定值以内，确保了在连续或脉冲功率应用中的可靠性。

该器件采用标准的TO-252-3（DPak）封装，这是一种三引脚（发射极、基极、集电极）表面贴装封装，其中集电极引脚与背部金属散热片电气相连，在布局设计时需要特别注意绝缘要求。其高耐压、中电流和良好的饱和特性，使其非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器、电机控制驱动电路以及AC-DC转换器中的高压侧开关。对于需要此类高性能分立器件的设计项目，可以通过专业的ST芯片代理获取详细的技术资料与供应链支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时，建议咨询制造商以获取替代型号或库存信息。

• 型号:TRD136DT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 3A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 500mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 2A，5V
• 功率 - 最大值:20 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 想获取TRD136DT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TRD136DT4是ST意法半导体生产的一款高压NPN功率双极性晶体管，采用表面贴装DPak（TO-252）封装。其核心电气参数包括400V的集射极击穿电压和3A的连续集电极电流，能够胜任高压开关应用。

该器件在2A电流下的最小直流电流增益（hFE）为10，并在500mA基极电流、2A集电极电流条件下具有仅1V的低饱和压降，这有助于降低导通损耗。其最大功耗为20W，最高结温为150°C，结合封装散热能力，为电源转换和电机驱动等应用提供了可靠的性能基础。