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TS332IYDT的图片

TS332IYDT

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集成电路(IC) > 线性 > 比较器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TS332IYDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TS332IYDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TS332IYDT是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款双路、轨到轨输入、开漏输出的通用比较器。该器件采用先进的CMOS工艺设计,其核心架构旨在实现超低功耗与宽电源电压范围的完美平衡。每个比较器单元都集成了高精度的输入级和强健的输出驱动级,能够在单电源1.6V至5V的宽电压范围内稳定工作,静态电流典型值极低,这使得它非常适合由电池供电或对功耗有严格限制的便携式及远程应用。

该芯片的功能特点十分突出。首先,其轨到轨输入级允许输入信号范围覆盖整个电源电压,极大地简化了信号调理电路的设计,并提升了在单电源系统中处理接近地电位和电源电位信号的灵活性。其次,开漏输出结构为用户提供了极大的配置自由度,输出端可以上拉至不同于芯片供电电压的另一个电压源,便于实现电平转换或与不同逻辑电平的系统(如微控制器)直接接口。在电气性能方面,极低的输入偏置电流和输入失调电压确保了高精度比较,而高达93mA的典型输出电流使其能够直接驱动继电器、LED等中小功率负载,增强了应用的直接性。

在接口与关键参数层面,TS332IYDT展现了卓越的鲁棒性。其典型共模抑制比(CMRR)达到79dB,有效抑制了电源噪声和共模干扰对比较精度的影响。最大传播延迟为720ns,在通用比较器中属于优秀水平,能够满足多数中速控制与监测任务的需求。更值得一提的是,该器件属于ST的Automotive, AEC-Q100系列,这意味着它通过了严苛的汽车级可靠性认证,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,能够适应从消费电子到工业控制乃至汽车电子等恶劣环境下的稳定运行。通过与可靠的ST代理合作,开发者可以便捷地获取该器件并进行设计验证。

基于上述特性,TS332IYDT的应用场景非常广泛。在电池供电的便携设备中,如手持仪表、智能传感器节点,其超低静态功耗能显著延长电池寿命。在工业自动化领域,其宽温、高可靠性及开漏输出特性,使其成为窗口比较器、过压/欠压保护电路、电机控制反馈环路的理想选择。在汽车电子中,可用于电池管理系统(BMS)的电压监控、车身控制模块的信号阈值检测等。其标准的8-SOIC表面贴装封装也便于集成到高密度的PCB设计中。

  • 型号:TS332IYDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 比较器
  • 描述:IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:标准(通用)
  • 元件数:2
  • 输出类型:开漏
  • 电压 - 供电,单/双(±):1.6V ~ 5V
  • 电压 - 输入补偿(最大值):5mV @ 5V
  • 电流 - 输入偏置(最大值):0.04A @ 5V
  • 电流 - 输出(典型值):93mA @ 5V
  • 电流 - 静态(最大值):26A
  • CMRR,PSRR(典型值):79dB CMRR
  • 传播延迟(最大值):720ns
  • 滞后:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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TS332IYDT是ST意法半导体生产的一款双路、轨到轨输入、开漏输出的通用比较器。该器件核心优势在于其超宽的工作电压范围(1.6V至5V)与极低的静态功耗,静态电流最大值仅为26A,使其成为电池驱动和低功耗应用的卓越选择。

其电气参数设计兼顾了精度与驱动能力,输入失调电压最大5mV,输入偏置电流极低,确保了比较的准确性;同时,高达93mA的输出电流使其能够直接驱动多种负载。器件符合AEC-Q100标准,支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,具备高度的环境适应性,适用于汽车、工业及消费类电子产品中的阈值检测、逻辑电平转换和系统监控等功能。

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