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TSI220B1RL的图片

TSI220B1RL

ST图标
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > 晶闸管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:THYRISTOR 30A 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TSI220B1RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TSI220B1RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TSI220B1RL是ST意法半导体(STMicroelectronics)TSI系列中的一款表面贴装型晶闸管浪涌保护器件(Thyristor Surge Protector, TSP),采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件设计用于在交流或直流电源线及信号线路上提供可靠的过压保护,其核心工作原理基于PNPN四层半导体结构。当线路上的瞬态电压超过其预设的330V导通电压(Breakover Voltage)时,器件会迅速从高阻态切换到低阻态,将浪涌电流旁路至地,从而将受保护端口的电压钳位在一个较低的水平。在浪涌事件结束后,只要流经器件的电流低于其150mA的保持电流(Hold Current),它便会自动复位到高阻断态,无需外部干预,实现了自动恢复的保护功能。

该器件的关键特性在于其针对瞬态事件的快速响应与高浪涌电流处理能力。它能够承受符合10/1000s波形的30A峰值脉冲电流,这使其能够有效抵御诸如雷击感应、负载切换等产生的能量较高的浪涌。其200pF的典型电容值对于数据或信号线路的应用是一个重要考量,较低的电容有助于最小化对高速信号完整性的影响。作为一款表面贴装元件,它非常适合现代高密度PCB设计,简化了生产组装流程。需要指出的是,该产品目前已处于停产状态,在为新设计选型时,建议咨询原厂或ST一级代理以获取最新的替代产品信息和技术支持。

在电气参数方面,TSI220B1RL定义了明确的工作边界。330V的导通电压是其核心触发阈值,为后端电路设定了保护门槛。150mA的保持电流则确保了在浪涌能量消散后,器件能可靠关断,避免在正常工频电压下持续导通。其30A(10/1000s)的浪涌处理能力标明了其适用的保护等级。这些参数共同构成了一个完整的保护方案,工程师需要根据被保护线路的工作电压、可能遭遇的浪涌等级以及信号频率来综合评估其适用性。

基于其性能特点,TSI220B1RL典型应用于需要 robust 过压保护的场合。例如,在电信网络设备(如xDSL调制解调器、基站接口)、工业控制系统的I/O端口、安防监控系统的视频/数据线以及消费电子产品的交流电源输入端,它常被用作二级或三级保护元件,与MOV(压敏电阻)或GDT(气体放电管)等初级保护器件配合,构成多级防护体系,为敏感的半导体电路提供一道坚固的防线。

  • 型号:TSI220B1RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > 晶闸管
  • 描述:THYRISTOR 30A 8-SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 导通:330V
  • 电压 - 断态:-
  • 电压 - 通态:-
  • 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
  • 电流 - 保持 (Ih):150 mA
  • 元件数:1
  • 电容:200pF
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取TSI220B1RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TSI220B1RL是ST意法半导体推出的一款表面贴装晶闸管浪涌保护器件,采用8SOIC封装。该器件核心功能是在瞬态过压事件中提供快速钳位保护,其关键参数包括330V的导通电压和30A(10/1000s波形)的峰值脉冲电流处理能力。

器件具备150mA的保持电流,确保浪涌过后能自动复位。其200pF的典型结电容使其在保护高速数据或信号线路时,对信号完整性的影响相对较小。该产品适用于电信、工业控制等领域的端口保护设计,目前已停产,建议评估替代方案。

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