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TSZ182IDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TSZ182IDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TSZ182IDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TSZ182IDT是ST意法半导体推出的一款双通道、零漂移运算放大器,采用先进的斩波稳定技术构建其核心。该架构通过内部动态校正机制,持续抵消由温度变化和时间推移引起的直流误差,从而在芯片级别实现了极低的输入失调电压和近乎为零的长期漂移。这种设计使其在精密信号调理应用中,能够提供传统精密运放难以企及的长期稳定性和准确性,尤其适合要求苛刻的测量环境。

该器件集成了多项关键特性以优化系统性能。其输入失调电压典型值仅为1V,配合极低的30pA输入偏置电流,确保了前端传感器微弱信号的高保真度采集。高达3MHz的增益带宽积4.7V/s的压摆率,使其在保持精度的同时,也能对动态信号做出快速响应。双通道设计在节省电路板空间的同时,提供了设计灵活性。此外,其轨到轨的输入和输出特性,结合2.2V至5.5V的宽电源电压范围,使其能够充分利用低压单电源供电系统的全部动态范围。

在电气接口与参数方面,TSZ182IDT展现出强大的环境适应性。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,并通过了AEC-Q100汽车级认证,满足严苛工业与汽车应用对可靠性的要求。每个放大器的静态电流典型值为800A,在提供高性能的同时兼顾了能效。输出电流能力达到29mA,可直接驱动中等负载。器件采用标准的8-SOIC表面贴装封装,支持卷带(TR)和剪切带(CT)包装,便于自动化生产。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

基于其卓越的零漂移特性和宽温工作能力,TSZ182IDT非常适合应用于对精度和稳定性有严格要求的领域。在工业自动化中,它是热电偶、RTD温度传感器、桥式压力传感器以及工业过程控制前端放大的理想选择。在汽车电子领域,可用于电池管理系统(BMS)的电流检测、传感器接口模块以及高级驾驶辅助系统(ADAS)的精密信号处理。此外,在便携式医疗设备、高精度数据采集系统和测试测量仪器中,该芯片也能显著提升系统的整体精度和长期可靠性。

  • 型号:TSZ182IDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:零漂移
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:4.7V/s
  • 增益带宽积:3 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:30 pA
  • 电压 - 输入补偿:25 V
  • 电流 - 供电:800A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:29 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):2.2 V
  • 电压 - 跨度(最大值):5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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TSZ182IDT是ST意法半导体生产的一款双通道、零漂移运算放大器,属于其汽车级(AEC-Q100)产品系列。该器件采用斩波稳定技术,实现了极低的1V输入失调电压30pA输入偏置电流,为核心的高精度信号调理提供了基础。

其电气特性支持2.2V至5.5V的宽电源电压范围,并具备轨到轨输入输出能力,适合低压单电源系统。在动态性能上,提供3MHz增益带宽积4.7V/s压摆率。器件工作温度范围为-40°C至125°C,采用8-SOIC封装,满足汽车与工业应用对可靠性和稳定性的严苛要求。

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