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ULN2002A

ST图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
原厂封装:封装:16-DIP
优势价格,ULN2002A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2002A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2002A是ST意法半导体推出的一款高可靠性、高电流增益的七通道NPN达林顿晶体管阵列。该器件采用成熟的单片集成电路工艺,将七个独立的达林顿对管集成在一个封装内,每个通道均由两个级联的NPN晶体管构成。这种架构提供了极高的电流增益,使得微控制器、逻辑电路等低电平输出能够直接驱动需要较大电流的负载,如继电器、步进电机、LED灯组或小型直流电机,而无需复杂的中间驱动级。其内部集成了续流二极管,为驱动感性负载时产生的反向电动势提供了泄放回路,有效保护了前级控制电路,简化了系统设计并提升了可靠性。

该器件的核心特性在于其卓越的驱动能力与稳健性。每个通道的集电极持续电流额定值高达500mA,足以驱动多种常见的工业与消费电子负载。其集电极-发射极击穿电压最大为50V,为驱动24V或更高电压的继电器线圈提供了充足的电压裕量。在典型工作条件下(Ic=350mA, Vce=2V),其直流电流增益(hFE)最小值达到1000,这意味着仅需极小的基极驱动电流(通常来自微控制器的GPIO引脚)即可实现通道的饱和导通。通道的饱和压降在Ic=350mA时最大为1.6V,较低的导通压降有助于减少芯片自身的功耗和发热。此外,其集电极截止电流最大仅为50A,确保了在关断状态下的高阻抗特性,减少了漏电流的影响。

在接口与参数方面,ULN2002A提供了标准化的引脚布局。它采用16引脚双列直插式封装(16-DIP),便于在原型板或PCB上进行通孔焊接。七个通道的输入端(基极)和输出端(集电极开路)分别对应排列,公共端(COM)连接内部续流二极管的阴极,通常需接至负载电源正极。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购,以确保获得正品和完整的应用支持。

凭借其集成化、高驱动能力和内置保护的设计,该芯片在自动化控制领域有着广泛的应用。它常见于PLC的I/O模块中,作为数字输出口的功率扩展器件;在办公自动化设备(如打印机、扫描仪)中,用于驱动步进电机和电磁铁;在家电控制板中,驱动继电器以控制压缩机、水泵或加热元件;此外,也广泛应用于安防系统、售货机、工业仪表盘指示灯驱动等场景。其设计简化了系统外围电路,降低了整体BOM成本和PCB面积,是工程师实现低电平逻辑到高功率负载接口的经典解决方案。

  • 型号:ULN2002A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-DIP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):-
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):-
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-DIP
  • 想获取ULN2002A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ULN2002A是ST意法半导体生产的一款七通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16-DIP通孔封装。该器件专为需要高电流增益和可靠性的接口驱动应用而设计。

其核心卖点在于集成了七个独立的达林顿对管,每个通道可提供高达500mA的集电极持续电流和50V的集射极击穿电压,能够直接驱动继电器、步进电机等负载。在350mA、2V的典型工作条件下,其直流电流增益(hFE)最小值高达1000,仅需微安级基极电流即可实现有效驱动,同时饱和压降较低。内部集成续流二极管,为驱动感性负载提供了必要的保护。

该器件工作温度范围为-40°C至85°C,具备工业级可靠性,是连接微控制器与功率负载的高效、经济型接口解决方案。

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