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ULN2068B

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
原厂封装:封装:16-PowerDIP(20x7.10)
优势价格,ULN2068B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2068B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2068B是ST意法半导体推出的一款高可靠性、高集成度的达林顿晶体管阵列芯片。该器件采用成熟的16引脚PowerDIP通孔封装,内部集成了四个独立的NPN达林顿对管,每个通道均设计有共发射极结构,并集成了用于快速关断的续流二极管,为驱动感性负载提供了内置保护。其架构的核心在于每个达林顿对都由两个级联的NPN晶体管构成,这种设计显著放大了输入电流,实现了用微弱的逻辑电平信号(如来自微控制器GPIO的电流)来控制高达安培级的大电流负载,同时保持了良好的输入输出隔离。

该芯片的功能特点突出表现在其驱动能力与稳健性上。每个通道的集电极连续电流额定值高达1.75A,集电极-发射极击穿电压为50V,足以应对多种继电器、步进电机、螺线管、白炽灯等常见负载的驱动需求。其饱和压降典型值较低,在2mA输入电流、1.25A输出电流条件下,最大仅为1.4V,这意味着在导通状态下的功率损耗较小,有助于提升系统整体能效并减少发热。芯片内部集成的续流二极管是关键特性,它能够有效吸收在关断感性负载时产生的反向电动势,保护芯片自身及外围电路免受高压尖峰冲击,极大简化了外部保护电路的设计。

在接口与参数方面,ULN2068B的输入侧与标准的TTL或5V CMOS逻辑电平完全兼容,输入引脚内部集成了2.7kΩ的串联电阻,可直接连接微控制器,无需额外的限流电阻。其输出为开集电极形式,提供了灵活的接线方式。器件额定功率为1W,工作温度范围覆盖工业级的-20°C至85°C,确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要本地技术支持与稳定供货的开发者,可以通过官方授权的ST中国代理获取详细的技术资料、样品以及批量采购支持。

基于其强大的驱动能力和集成化设计,ULN2068B广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子及办公设备等多个领域。典型应用场景包括作为微控制器与功率负载之间的接口驱动器,用于控制多路继电器阵列以组建自动控制系统;驱动步进电机的相位绕组,实现精确的位置控制;亦或是驱动面板上的多位七段数码管显示器。其高集成度显著减少了PCB板上的元器件数量,简化了布线,降低了系统复杂性和总体成本,是工程师构建可靠、紧凑型驱动解决方案的经典选择。

  • 型号:ULN2068B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2mA,1.25A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 想获取ULN2068B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ULN2068B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16引脚PowerDIP通孔封装。该器件专为需要高电流驱动能力的接口应用而设计,每个通道可提供高达1.75A的连续集电极电流和50V的集电极-发射极击穿电压,能够直接驱动继电器、螺线管、直流电机及指示灯等多种负载。

其核心优势在于高度集成与内置保护。芯片输入兼容TTL/5V CMOS逻辑电平,并集成基极电阻,简化了与微控制器的连接。每个达林顿输出均集成了续流二极管,有效抑制关断感性负载时产生的瞬态电压,提升了系统的可靠性与鲁棒性。其较低的饱和压降(最大1.4V @ 1.25A)有助于减少导通损耗,1W的功耗额定值和-20°C至85°C的工业级工作温度范围确保了在广泛环境下的稳定性能。

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