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ULN2069B

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
原厂封装:封装:16-PowerDIP(20x7.10)
优势价格,ULN2069B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2069B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2069B是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高可靠性、高集成度的达林顿晶体管阵列芯片。该器件采用成熟的16引脚PowerDIP通孔封装,其核心架构由四个独立的NPN达林顿对管单元构成,每个单元均集成了输入级电阻和箝位二极管。这种设计将多个分立元件集成于单一封装内,不仅显著节省了PCB空间,还通过优化的内部互连提升了系统的稳定性和一致性,简化了外围电路设计。

该芯片的功能特点突出体现在其强大的驱动能力和稳健的保护机制上。每个达林顿通道能够持续输出高达1.75A的集电极电流,并承受最高80V的集电极-发射极电压,使其能够直接驱动继电器、步进电机、螺线管、白炽灯等高感性或大电流负载。集成的输入电阻使得该芯片可以直接与CMOS或TTL逻辑电平兼容,无需外部限流电阻。内置的续流二极管则为关断感性负载时产生的反向电动势提供了泄放通路,有效保护了驱动晶体管和前端控制电路,增强了系统的抗干扰性和长期可靠性。其饱和压降典型值在1.5A电流下仅为1.5V,功耗控制出色。

在接口与关键参数方面,ULN2069B提供了标准的16引脚DIP接口,便于在实验板或PCB上进行插拔和焊接。其工作温度范围覆盖-20°C至85°C,适用于大多数工业和消费类电子环境。最大功耗为1W,用户在设计散热时需综合考虑环境温度和负载占空比。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取原装正品和完整的设计资源。其达林顿结构提供了极高的电流增益,即使使用微控制器GPIO口微弱电流也能可靠驱动后级大功率负载。

得益于其高集成度与强驱动特性,ULN2069B广泛应用于需要多路中功率开关控制的场景。典型应用包括工业自动化控制系统中的多路继电器或电磁阀驱动板、办公自动化设备(如打印机、扫描仪)中的步进电机驱动、汽车电子中的负载驱动模块,以及智能家居系统中的灯具或电机控制单元。它作为微控制器与执行机构之间的理想“桥梁”器件,在简化设计、提高系统功率密度和可靠性方面发挥着关键作用。

  • 型号:ULN2069B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
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ULN2069B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16引脚PowerDIP封装。该器件集成了输入电阻和续流箝位二极管,专为简化接口电路、直接驱动高电流或高电压负载而设计。

其核心参数表现强劲,每个通道可支持高达1.75A的持续集电极电流和80V的集电极-发射极击穿电压,饱和压降低至1.5V @ 1.5A,确保了高效的功率切换能力。宽泛的工作温度范围(-20°C ~ 85°C)使其能适应苛刻的工业环境。

这款芯片通过与标准逻辑电平(CMOS/TTL)直接兼容,显著降低了微控制器或数字逻辑电路驱动继电器、电机、螺线管及指示灯等感性或阻性负载的设计复杂度与元件数量,是高可靠性多路开关驱动应用的理想解决方案。

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