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USBULC6-2F7的图片

USBULC6-2F7

ST图标
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM 4FLIPCHIP
原厂封装:封装:4-覆晶
优势价格,USBULC6-2F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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USBULC6-2F7的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

USBULC6-2F7是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用先进Flip-Chip封装技术的瞬态电压抑制(TVS)二极管,隶属于其Transil产品系列,专为高速数据接口的静电放电(ESD)和电气过载(EOS)保护而设计。该器件采用紧凑的4-XFBGA封装,其核心架构基于两个单向保护通道,以轨至轨(Rail-to-Rail)的转向装置方式工作,能够为两条独立的信号线提供从地到电源轨的全面箝位保护,有效将危险的瞬态过压能量安全地分流至地或电源,从而保护下游敏感的集成电路。

该芯片的核心功能特点在于其卓越的低电容与高保护等级的平衡。它在200MHz至3GHz的宽频范围内,典型电容值低至1pF,这一特性对于USB等高速数据线路至关重要,能最大限度地减少信号完整性的劣化和数据眼图的闭合,确保数据传输的可靠性。其反向断态电压为3V,最小击穿电压为5.5V,能够安全地工作在常见的3.3V逻辑电平环境中。尽管该器件已处于停产状态,但其设计的峰值脉冲功率处理能力达到50W,结合其电源线路保护功能,使其能够有效吸收由ESD(如IEC 61000-4-2标准)或其它瞬态事件产生的高能量脉冲。用户可通过ST授权代理获取库存或替代方案的技术支持。

在电气参数与接口方面,USBULC6-2F7展现了高度的适应性。其表面贴装型(SMT)的4-XFBGA Flip-Chip封装不仅提供了极小的占板面积,还优化了寄生电感,提升了高频下的保护性能。器件的工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛工业环境或消费电子设备中的稳定运行。两个单向通道的设计,使其非常适合用于差分数据线对(如USB D+和D-)的保护,每条线路都能获得独立的、指向明确的箝位路径。

鉴于其低电容、轨至轨保护和紧凑封装的特点,USBULC6-2F7的典型应用场景主要集中在需要高信号完整性的高速数据端口保护领域。它曾是保护USB 2.0、HDMI、移动高清链路(MHL)等接口的理想选择,同时也适用于各类通用型数字I/O线路、天线端口及射频模块的ESD防护。在便携式设备、计算机外围设备、通信模块及工业控制系统中,该器件为系统提供了符合行业标准的稳健静电防护能力,增强了终端产品的可靠性与耐用性。

  • 型号:USBULC6-2F7
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-覆晶
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM 4FLIPCHIP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):5.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:50W
  • 电源线路保护:是
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1pF @ 200MHz ~ 3GHz
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-XFBGA
  • 供应商器件封装:4-覆晶
  • 想获取USBULC6-2F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

USBULC6-2F7是ST意法半导体Transil系列中的一款TVS二极管,采用4-XFBGA Flip-Chip封装,专为高速信号线路的瞬态电压抑制设计。该器件集成了两个单向保护通道,以轨至轨方式工作,提供从地到电源的全面箝位,其核心优势在于极低的线路电容(典型值1pF @ 200MHz~3GHz)与50W的峰值脉冲功率处理能力的结合。

其3V的反向断态电压与5.5V的最小击穿电压使其适用于3.3V逻辑电平环境,能有效防护ESD及电气过载事件。宽工作温度范围(-40°C ~ 150°C TJ)和表面贴装形式,确保了其在各类通用应用,尤其是USB等高速数据接口保护中的可靠性与易用性。

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