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USBULC6-2M6

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5VWM 17VC 6UQFN
原厂封装:封装:6-QFN(1.45x1.0)
优势价格,USBULC6-2M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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USBULC6-2M6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

USBULC6-2M6是ST意法半导体推出的一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用先进的半导体工艺,集成了两个独立的单向保护通道,构成一个紧凑的轨至轨保护架构。其核心设计旨在为敏感的USB数据线(D+和D-)或类似的差分信号对提供针对静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他电压浪涌事件的可靠防护,确保信号完整性和系统可靠性。

该器件的一个关键特性是其极低的线路电容,典型值仅为0.95pF @ 1MHz,这对于维持高速数据信号的完整性至关重要,能有效避免信号衰减和失真,使其非常适合USB 2.0高速模式(480 Mbps)及更高速率的应用。其反向断态电压为5V,击穿电压最小值为6V,能够在不影响正常信号电平的前提下提供保护。在承受高达5A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,其箝位电压最大值被严格限制在17V,从而为下游的集成电路提供了一个安全的电压环境,防止过压损坏。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持和供应链服务。

在接口与参数方面,USBULC6-2M6采用表面贴装型的6引脚UFDFN封装,尺寸紧凑,非常适合空间受限的现代便携式电子设备。它提供电源线路保护功能,并且其“轨至轨”的转向装置类型意味着它能将正负两个方向的过压瞬态分别引导至电源轨和地,实现高效的能量泄放。其设计符合IEC 61000-4-2标准(ESD)的防护要求,为系统提供业界认可的鲁棒性保障。

该芯片的主要应用场景集中在需要高可靠性数据接口保护的领域。除了其命名的USB端口(包括主机和设备端)保护外,凭借其低电容和高带宽特性,它也适用于以太网接口、HDMI端口、DisplayPort以及其他高速差分数据线的ESD和浪涌保护。在消费电子、计算机外围设备、工业控制设备和通信模块中,集成USBULC6-2M6能够显著提升产品对恶劣电气环境的耐受能力,降低现场故障率,是提升终端产品品质和耐用性的关键元器件。

  • 型号:USBULC6-2M6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5VWM 17VC 6UQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5V
  • 电压 - 击穿(最小值):6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):17V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:是
  • 应用:以太网
  • 不同频率时电容:0.95pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UFDFN
  • 供应商器件封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 想获取USBULC6-2M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

USBULC6-2M6是ST意法半导体专为高速数据线路设计的TVS二极管阵列,提供双向的瞬态电压抑制保护。其核心优势在于极低的线路电容(0.95pF @ 1MHz),确保了对USB 2.0高速模式等信号的最小干扰,同时能有效箝位高达17V的浪涌电压,承受5A的峰值脉冲电流。

该器件采用6-UFDFN表面贴装封装,集成两个单向保护通道,为差分数据线对(如D+/D-)提供紧凑、高效的轨至轨保护方案。它主要应用于USB端口、以太网接口及其他需要高带宽ESD和浪涌防护的场合,是提升系统可靠性的关键组件。

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