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VN31-11-E的图片

VN31-11-E

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
原厂封装:供应商器件封装:5-PENTAWATT
优势价格,VN31-11-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VN31-11-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VN31-11-E是ST意法半导体推出的一款高性能单通道N沟道功率MOSFET驱动器,属于其电源管理IC中的配电开关与负载驱动器产品线。该器件采用经典的5-PENTAWATT通孔封装,专为需要高可靠性、大电流开关控制的应用而设计。其核心架构围绕一个集成的高端N沟道MOSFET构建,该MOSFET具有极低的导通电阻,典型值仅为30毫欧,这确保了在高达31A的连续输出电流下,器件自身的功率损耗被降至最低,从而提升了系统整体效率并减少了热管理需求。

该驱动器的一个显著功能特点是其简洁高效的控制逻辑。它采用非反相的开/关接口,仅需一个标准的逻辑电平信号即可直接控制功率级的导通与关断,极大简化了外围电路设计。器件内部集成了完善的保护功能,包括开路负载检测超温关断。当输出端意外断开或芯片结温超过安全阈值时,保护电路会迅速动作,有效防止设备损坏。此外,芯片还提供了一个状态标志(Status Flag)输出,能够向主控制器实时反馈开关状态或故障信息,增强了系统的可监控性和安全性。

在电气参数方面,VN31-11-E展现出宽泛的工作适应性。其负载端工作电压范围覆盖5.5V至26V,使其能够兼容12V和24V两种常见的工业与汽车电气系统。值得注意的是,该器件采用独特的自举式设计,无需独立的VCC/VDD供电引脚,其内部控制逻辑的电源直接从输入信号中获取,这进一步简化了电源轨设计并节省了空间。其坚固性体现在宽广的工作温度范围上,结温(TJ)可承受-40°C至150°C的严苛环境,确保在工业与汽车应用中的稳定运行。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和供应信息。

得益于其高电流能力、集成保护和宽电压范围,该芯片非常适合应用于对可靠性和功率密度有较高要求的领域。典型的应用场景包括汽车电子中的继电器替代、电机预驱动器、加热器控制;工业自动化中的电磁阀、螺线管驱动、PLC输出模块;以及各类电源分配与热插拔管理单元。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能,使其在现有系统的维护和特定高可靠性设计中仍具参考价值。

  • 制造商产品型号:VN31-11-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:5.5V ~ 26V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):31A
  • 导通电阻(典型值):30 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:状态标志
  • 故障保护:开路负载检测,超温
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:5-PENTAWATT
  • 想获取VN31-11-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VN31-11-E是ST意法半导体生产的一款单通道高端智能功率开关。该器件集成了一个低导通电阻(典型30mΩ)的N沟道MOSFET,能够持续承载高达31A的负载电流,并支持5.5V至26V的宽负载电压范围,适用于12V和24V系统。

其设计简洁高效,采用非反相开/关逻辑控制,无需独立供电(Vcc/Vdd)。芯片内置了关键的保护与诊断功能,包括开路负载检测、超温关断以及一个用于反馈开关或故障状态的状态标志引脚,显著提升了系统的鲁棒性和可维护性。

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