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VN5E160STR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,VN5E160STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VN5E160STR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VN5E160STR-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的VIPower技术平台开发的一款单通道、高端N沟道功率开关。该器件采用单片结构,将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路集成在一个紧凑的封装内,其核心设计理念是在简化外围电路的同时,提供高可靠性的负载开关解决方案。得益于这种高度集成的架构,工程师无需为功率级单独设计复杂的栅极驱动和保护网络,从而显著降低了系统复杂度和PCB占用面积。

该器件具备出色的电气性能,其导通电阻典型值低至160毫欧,能够有效降低在高达7A连续输出电流下的导通损耗,提升系统整体效率。其工作电压范围覆盖4.5V至28V,使其能够广泛应用于12V或24V的汽车及工业总线系统。作为一款高端开关,它采用非反相的开/关逻辑接口进行控制,输入信号与输出状态同相,简化了微控制器(MCU)的驱动逻辑。一个关键特性是其内置了带有自动重启功能的全面故障保护机制,包括固定阈值限流、开路负载检测、过热关断以及过压钳位。当检测到过流或过热故障时,器件会自动关断以保护自身和负载,并在故障条件解除后尝试自动恢复,这大大增强了系统在恶劣环境下的鲁棒性和无人值守运行能力。

在接口与参数方面,VN5E160STR-E设计极为简洁。它仅需一个来自MCU GPIO的开关控制信号,而无需独立的供电引脚(Vcc/Vdd),其工作电源直接从被切换的负载电源轨获取,这进一步简化了电源设计。其坚固的设计支持-40°C至150°C的宽结温范围,确保在严苛的工业与汽车环境中稳定工作。器件采用表面贴装型的8-SO封装,支持卷带(TR)或剪切带(CT)包装,适用于自动化贴片生产。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持、样品以及批量供货。

凭借其高集成度、高可靠性和易用性,VN5E160STR-E非常适合于需要智能电源管理的应用场景。典型应用包括汽车电子模块(如车身控制模块、座椅调节、照明驱动)中的负载驱动、工业自动化系统中的继电器、电磁阀或小型电机驱动,以及热插拔板卡、USB电源端口和通用配电系统中的负载开关。它为解决现代电子系统中常见的负载短路、浪涌电流和热管理挑战提供了一个高效、可靠的标准化方案。

  • 型号:VN5E160STR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):7A
  • 导通电阻(典型值):160 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:带有自动重启功能
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • 想获取VN5E160STR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VN5E160STR-E是ST意法半导体VIPower系列中的一款单通道高端智能功率开关。该器件集成了一个低至160毫欧的N沟道功率MOSFET,支持4.5V至28V的宽输入电压范围和高达7A的连续输出电流,专为高效、可靠的负载切换而设计。

其核心优势在于高度集成,内置了全面的故障保护功能,包括固定限流、开路负载检测、过热保护和过压钳位,并具备自动重启能力,确保了系统在异常条件下的安全性与自恢复能力。器件采用简洁的开/关控制接口,无需外部供电,简化了设计。其8-SO封装和宽工作温度范围(-40°C至150°C)使其成为汽车电子、工业控制及通用电源分配系统中负载驱动和管理的理想选择。

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