VN820B5TR-E

VN820B5TR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能单通道高端智能功率开关，采用先进的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺制造，集成了功率MOSFET、驱动逻辑和全面的保护功能于一体。其核心是一个N沟道垂直功率MOSFET，采用高端配置，可直接控制连接在电源与负载之间的开关路径，这种架构省去了传统的电荷泵电路，使得器件在无需独立VCC供电的情况下，仅凭逻辑输入信号即可驱动高达36V的负载，极大地简化了系统设计。

该器件具备多项突出的功能特性。其极低的导通电阻（典型值40毫欧）确保了在高达9A的连续输出电流下，功率损耗和温升都维持在极低水平，提升了整体能效。控制接口采用简单的非反相开/关逻辑，兼容3.3V和5V微控制器，易于集成。尤为关键的是其内置的多重故障保护机制，包括固定阈值的限流保护、开路负载检测、过温关断以及过压钳位。当检测到过流或过热故障时，器件会进入关断保护状态，并在故障条件解除后尝试自动重启，同时通过专用的状态标志引脚向主控制器报告故障信息，实现了安全、可靠的负载管理。

在电气参数方面，VN820B5TR-E支持宽范围的负载工作电压（5.5V至36V），覆盖了从单节锂电池到汽车蓄电池的常见电压平台。其结温工作范围宽达-40°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。器件采用P2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能，通常可通过专业的ST代理商获取卷带（TR）或剪切带（CT）包装，便于自动化生产。

凭借其高集成度、高可靠性和易用性，VN820B5TR-E非常适合于需要稳健负载驱动的各种应用场景。在汽车电子领域，它常用于驱动车身控制模块中的灯泡、继电器、电机（如风扇、雨刮）等感性或阻性负载。在工业控制中，可用于PLC输出模块、电磁阀驱动和电源时序管理。此外，在电信基础设施、热插拔电源模块以及大电流LED照明驱动等场合，它也能提供高效、安全的开关解决方案。

• 型号:VN820B5TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:P2PAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 P2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:高端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:5.5V ~ 36V
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:9A
• 导通电阻（典型值）:40 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:自动重启，状态标志
• 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:P2PAK
• 封装/外壳:P2PAK（4 引线 + 凸片）
• 想获取VN820B5TR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VN820B5TR-E是ST意法半导体生产的一款单通道高端智能功率开关，属于电源管理IC中的配电开关与负载驱动器类别。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET，采用高端输出配置，无需独立VCC电源，仅通过开/关逻辑接口即可控制5.5V至36V、最大9A的负载，其最大导通电阻仅为40毫欧，能有效降低导通损耗。

它内置了全面的故障保护功能，包括固定限流、开路负载检测、过温保护和过压保护，并具备故障后的自动重启能力。器件通过状态标志引脚提供诊断反馈，增强了系统可靠性。其工作结温范围覆盖-40°C至150°C，采用P2PAK表面贴装封装，适用于要求高可靠性和安全性的汽车电子、工业自动化等领域的负载驱动应用。