VNB28N04-E

VNB28N04-E是ST意法半导体基于其成熟的VIPower技术平台开发的一款单通道智能功率开关。该器件采用N沟道垂直功率MOSFET作为核心开关元件，并集成了先进的逻辑控制电路与全面的保护功能模块于一体，构成一个高度集成的单片解决方案。这种架构使得外部电路得以极大简化，无需独立的栅极驱动电源，显著提升了系统的可靠性与功率密度，尤其适用于空间受限的严苛应用环境。

该器件设计用于直接由逻辑电平信号控制，其输入采用非反相设计，便于与微控制器等数字信号源接口。作为一款低端开关，VNB28N04-E能够承受高达31V的负载电压，并提供高达19A的连续输出电流能力，其导通电阻典型值低至35毫欧，这有效降低了导通状态下的功率损耗和温升，提升了整体能效。除了基本的开关功能，芯片还提供了一个状态标志输出，可用于向主控制器反馈开关的实时工作状态，实现更智能的系统监控与管理。

在接口与参数方面，VNB28N04-E体现了高集成度与易用性的平衡。它采用标准的开/关接口，无需外部供电（Vcc/Vdd），简化了设计。其坚固性源于内置的多重故障保护机制，包括固定阈值限流保护，可防止因短路或过载导致的电流失控；过压保护确保开关在电压瞬态下的安全；以及超温保护，当芯片结温超过安全阈值时会自动关断输出，并在温度恢复正常后自恢复，这大大增强了系统的鲁棒性和长期运行可靠性。用户可以通过专业的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

得益于其强大的驱动能力、卓越的保护特性和紧凑的D2PAK表面贴装封装，VNB28N04-E非常适合于需要可靠功率控制的各类应用场景。它常被用于汽车电子领域，如驱动继电器、螺线管、灯泡以及小型电机等感性或阻性负载。在工业自动化中，可用于可编程逻辑控制器（PLC）的输出模块、电磁阀驱动等。此外，在电源分配管理、热插拔保护以及替代传统机械继电器或分立MOSFET加驱动电路的方案中，它都能提供更高效、更可靠的解决方案。

• 型号:VNB28N04-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:31V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:19A
• 导通电阻（典型值）:35 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:状态标志
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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VNB28N04-E是ST意法半导体OMNIFET系列中的一款单通道、低端配置的智能功率开关。该器件集成了N沟道功率MOSFET、驱动逻辑及保护电路，采用无需外部Vcc供电的设计，极大简化了系统布局。

其核心参数表现出色，支持最大31V负载电压与19A连续输出电流，典型导通电阻仅为35毫欧，确保了高效的电能传输与低热损耗。器件内置了全面的故障保护功能，包括固定限流、过压和超温保护，并提供了状态标志输出用于系统诊断，显著提升了应用的可靠性与安全性。