VNB35NV04-E

VNB35NV04-E是ST意法半导体推出的OMNIFET II系列智能功率开关，采用先进的VIPower技术进行设计和制造。该芯片将功率MOSFET、驱动电路及全面的保护功能高度集成于一个D2PAK封装内，构成一个完整的单通道低边开关解决方案。其核心架构省去了传统分立方案中所需的栅极驱动和外部保护电路，不仅简化了系统设计，还显著提升了整体可靠性与功率密度。

作为一款高性能负载驱动器，该器件具备多项突出的功能特点。其导通电阻典型值仅为13毫欧，在30A的持续输出电流下能有效降低导通损耗，提升系统效率。芯片内置了完善的故障保护机制，包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位，能够确保在异常工况下（如负载短路、过热或电源电压瞬变）对自身和负载提供可靠保护，增强了应用的鲁棒性。其接口设计简洁，采用非反相的开/关逻辑控制，便于与微控制器等逻辑电路直接连接，无需额外电平转换。

在电气参数方面，VNB35NV04-E支持高达36V的最大负载电压，使其能够灵活应用于12V或24V的汽车及工业电源系统。值得注意的是，该器件无需独立的逻辑电源供电（Vcc/Vdd），其控制电路直接由输入引脚供电，进一步简化了外围电路。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，采用表面贴装型D2PAK封装，具有良好的散热能力，适合在严苛的环境下稳定工作。用户可通过ST授权代理获取该产品的完整技术资料、样品及供货支持。

凭借其高集成度、高可靠性和强大的驱动保护能力，VNB35NV04-E非常适用于需要高边或低边开关控制的各类场景。典型应用包括汽车领域的车身控制模块（如驱动座椅加热器、车窗升降电机、LED照明）、继电器替代，以及工业自动化中的电磁阀、小型电机和电阻性负载的驱动。它为工程师提供了一种高效、紧凑且安全的功率开关解决方案。

• 型号:VNB35NV04-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:30A
• 导通电阻（典型值）:13 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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VNB35NV04-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道、低边配置的智能功率开关。该器件基于VIPower技术，集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路，采用D2PAK封装，专为高电流开关应用而设计。

其核心优势在于高达30A的输出电流能力和极低的导通电阻（典型值13mΩ），能显著降低功率损耗。器件内置了全面的保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护，确保了在恶劣电气环境下的高可靠性。它采用简单的开/关接口控制，无需外部逻辑电源，简化了系统设计。

该开关支持最大36V的负载电压，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，使其成为汽车车身电子、工业控制系统及各类负载驱动应用的理想选择。