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VND10N06-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,VND10N06-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND10N06-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND10N06-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的VIPower技术平台开发的单通道N沟道智能功率开关。该器件采用单片集成设计,将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合在一个紧凑的封装内,实现了高集成度与高可靠性。其核心是一个优化的垂直DMOS功率结构,旨在提供极低的导通电阻,典型值仅为150毫欧,这直接转化为在导通状态下更低的功率损耗和更高的系统效率。

该器件设计用于直接由逻辑电平信号控制,接口形式为简单的开/关非反相输入,无需外部驱动电路,极大地简化了系统设计。其6A的连续输出电流能力使其能够直接驱动各类阻性、感性和容性负载,如继电器、螺线管、白炽灯和小型直流电机。作为一款智能开关,它内置了多重故障保护机制,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位。这些保护功能是自恢复的或锁存的(取决于具体条件),能够有效防止因短路、过热或负载突波导致的永久性损坏,提升了整个应用系统的鲁棒性。

在电气参数方面,VND10N06-E是一款低端开关,输出配置为N通道,输入与输出为1:1比率。它采用表面贴装型DPAK封装,具有良好的功率耗散能力,适合自动化生产。虽然该产品目前已处于停产状态,但在其生命周期内,它凭借ST的VIPower和OMNIFET系列一贯的可靠性,在汽车电子和工业控制领域建立了良好的声誉。对于仍在维护相关设计的工程师,可以通过授权的ST代理咨询库存或替代方案信息。

其典型应用场景广泛覆盖了需要安全、可靠控制中等功率负载的领域。在汽车电子中,常用于控制车身模块中的灯光、加热器或门锁执行器;在工业自动化中,适用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字输出模块,驱动各种执行机构。其集成保护和易于驱动的特性,使其成为替代分立MOSFET加外围保护电路的理想、节省空间的解决方案,尤其适用于对板卡面积和系统可靠性有较高要求的场合。

  • 型号:VND10N06-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:-
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):6A
  • 导通电阻(典型值):150 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 想获取VND10N06-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND10N06-E是ST意法半导体推出的一款单通道智能功率开关,隶属于OMNIFET和VIPower产品系列。该器件采用DPAK封装,集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路,提供了一种高度集成化的负载驱动解决方案。

其核心优势在于高达6A的输出电流能力仅150毫欧的典型导通电阻,确保了高效的功率传输。器件内置了全面的故障保护功能,包括固定限流、过温关断和过压保护,显著增强了系统的耐用性和安全性。通过简单的逻辑电平开/关接口即可控制,它简化了设计并减少了外部元件数量,适用于驱动各种负载的通用开关应用。

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