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VND5E025ASTR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
原厂封装:封装:16-SO
优势价格,VND5E025ASTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND5E025ASTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND5E025ASTR-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其成熟的VIPower技术平台开发的一款双通道、高端智能功率开关。该器件采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺,将功率MOSFET、控制逻辑和保护电路高度集成于单片之上,实现了功率密度与可靠性的平衡。其核心是一个双路独立的N沟道功率MOSFET,采用高端开关配置,可直接由微控制器(MCU)的GPIO口通过开/关逻辑电平进行驱动,无需额外的栅极驱动电路或隔离电源,这极大地简化了系统设计,降低了外围元件成本和PCB空间占用。

该芯片的功能特点突出体现在其强大的集成保护能力和稳健的驱动性能上。其导通电阻典型值仅为25毫欧,在4.5V至28V的宽负载电压范围内,每通道可连续输出高达43A的电流,确保了极低的导通损耗和高效的功率传输。输入接口采用非反相逻辑,兼容3.3V和5V微控制器,提供了便捷的控制方式。更为关键的是,器件内置了全面的故障诊断与保护机制,包括固定阈值的限流保护、开路负载检测、过温关断以及过压钳位。当检测到过流或过热等故障时,芯片会自动进入关断保护状态,并在故障条件解除后尝试自动重启,这一特性显著增强了系统在恶劣环境下的鲁棒性和自恢复能力,减少了主控制器的干预负担。

在电气参数方面,VND5E025ASTR-E设计用于直接控制连接在电源与负载之间的高端通路。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,适用于工业级和汽车级应用环境。器件采用节省空间的16引脚SO封装,支持表面贴装工艺,便于自动化生产。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。尽管该型号目前已标记为不适用于新设计,但其成熟的设计和广泛验证的可靠性,使其在现有系统维护和特定项目中仍具有重要价值。

基于其高电流驱动能力、集成保护和简单的控制接口,该芯片非常适合用于驱动各类阻性、感性和容性负载。典型应用场景包括汽车电子系统中的车身控制模块,如驱动座椅加热器、车窗升降电机、风扇、继电器线圈以及LED照明模块。在工业自动化领域,它可用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字输出模块,可靠地驱动电磁阀、接触器和小型电机。其坚固的设计也使其成为电源时序管理、热插拔保护和智能保险丝替代方案的理想选择,为工程师提供了一个高度集成、安全可靠的负载驱动解决方案。

  • 型号:VND5E025ASTR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):43A
  • 导通电阻(典型值):25 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:带有自动重启功能
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:16-SO
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.295\\
  • 想获取VND5E025ASTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND5E025ASTR-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关,隶属于VIPower产品系列。该器件采用16-SO封装,集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,每通道具备高达43A的输出电流能力和仅25毫欧的典型导通电阻,可在4.5V至28V的宽电压范围内高效工作。

其核心优势在于高度的集成化与全面的内置保护功能。器件通过简单的开/关逻辑接口直接由微控制器驱动,无需外部驱动电路。同时,它集成了限流、开路负载检测、过温关断和过压保护等多重故障保护机制,并具备自动重启功能,极大地提升了系统在过载、短路等异常情况下的可靠性与自恢复能力。

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