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VND600SPTR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
原厂封装:封装:10-PowerSO
优势价格,VND600SPTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND600SPTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体(STMicroelectronics)推出的VND600SPTR-E是一款高性能、高集成度的双通道智能高端开关,隶属于其电源管理IC中的配电开关与负载驱动器产品线。该器件采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制造,将功率级、控制逻辑和保护电路高度集成于单一芯片内。其核心是一个双路独立的N通道功率MOSFET,采用高端配置,这意味着开关位于电源和负载之间,能够有效控制负载的通断,并为系统提供短路和过载保护,简化了电路设计并提升了可靠性。

该器件设计用于直接由微控制器等逻辑电平信号驱动,接口为简单的开/关控制,输入类型为非反相,便于系统集成。其最突出的特性之一是在单芯片内实现了高达25A的持续输出电流能力,同时保持了极低的导通电阻,典型值仅为30毫欧(最大值),这显著降低了功率损耗和热耗散,提升了整体能效。其宽泛的负载工作电压范围(5.5V至36V)使其能够兼容12V和24V车载系统以及其他工业电源总线,而无需额外的供电电压(Vcc/Vdd),进一步简化了外围电路。

在参数方面,VND600SPTR-E集成了全面的故障保护机制,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位功能。这些保护功能是内部集成的,无需外部元件,确保了在异常工况下(如负载短路、对地或对电源短路、过热等)器件和负载的安全。其结温工作范围宽达-40°C至150°C,采用表面贴装的10-PowerSO封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在恶劣环境下长期稳定工作。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其强大的驱动能力、高集成度和鲁棒性,VND600SPTR-E非常适合于要求苛刻的汽车电子和工业控制应用。典型应用场景包括驱动各类电阻性、感性和容性负载,如汽车车身控制模块中的灯组(前照灯、雾灯、转向灯)、加热器、电机(如风扇、泵、车窗升降器),以及工业自动化中的电磁阀、继电器和中小功率直流电机。其可靠的设计使其成为替代分立MOSFET方案或机械继电器的理想选择,有助于实现系统的小型化、智能化和高可靠性。

  • 型号:VND600SPTR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-PowerSO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:5.5V ~ 36V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):25A
  • 导通电阻(典型值):30 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 想获取VND600SPTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND600SPTR-E是ST意法半导体推出的一款双通道智能高端电源开关IC,属于电源管理-配电开关/负载驱动器类别。该器件采用POWER-SO10封装,集成了两个独立的N通道功率MOSFET,支持5.5V至36V的宽负载电压范围,无需额外Vcc供电,可直接由逻辑电平控制。

其核心优势在于高达25A的每通道输出电流能力极低的30毫欧典型导通电阻,确保了高效的电能传输与最小的功率损耗。器件内置了全面的故障保护功能,包括固定限流、过温关断和过压保护,工作结温范围-40°C至150°C,具备高可靠性,适用于严苛的汽车与工业环境。

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