VND7N0413TR

VND7N0413TR是ST意法半导体推出的OMNIFET II系列中的一款单通道、低边N沟道智能功率开关。该器件采用先进的VIPower M0-7技术制造，将功率MOSFET、保护电路和驱动逻辑集成于单一芯片，构成了一个高度集成的负载驱动解决方案。其核心设计理念在于通过内置的全面诊断与保护功能，简化外围电路设计，提升系统可靠性，尤其适用于需要直接驱动阻性、感性和容性负载的严苛环境。

该器件具备多项关键功能特性。其导通电阻典型值仅为140毫欧，在4A的最大连续输出电流下能有效降低导通损耗，提升能效。接口采用简单的开/关非反相逻辑控制，易于与微控制器等逻辑电路连接。更为突出的是其内置的坚固保护机制，包括固定阈值的限流保护，可防止因短路或过载导致的损坏；过温关断功能在结温超过安全阈值时自动禁用输出；以及过压钳位功能，能够承受高达31V的负载突波电压，增强了在汽车或工业环境中应对电压瞬变的鲁棒性。所有这些保护功能都是完全自洽的，无需外部元件干预。

在电气参数方面，VND7N0413TR设计为低边驱动，输出配置为N通道，输入与输出比为1:1。它不需要独立的逻辑电源（Vcc/Vdd），简化了供电设计。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在极端温度下的稳定运行。器件采用表面贴装型DPAK封装，并提供卷带（TR）包装，适合自动化贴装生产。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商进行采购与咨询。

得益于其高集成度、强保护能力和简便的驱动接口，VND7N0413TR非常适合于汽车车身控制模块中的负载驱动，如车窗升降器、雨刷电机、座椅调节器及灯具驱动。此外，在工业自动化领域，它也可用于继电器、电磁阀、小型直流电机的直接驱动，为系统设计师提供了一个紧凑、可靠且易于使用的功率开关方案。

• 型号:VND7N0413TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:31V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:4A
• 导通电阻（典型值）:140 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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VND7N0413TR是ST意法半导体OMNIFET II系列的一款智能单通道低边功率开关。该器件集成了功率N沟道MOSFET与全面的保护功能，采用VIPower技术，旨在为阻性、感性和容性负载提供高效、可靠的驱动解决方案。

其核心优势在于高达4A的输出电流能力与仅140毫欧的低导通电阻，有效降低了功率损耗。器件内置了固定限流、过温关断和过压钳位等多重故障保护，无需外部电路即可实现系统自保护，显著增强了在恶劣电气环境下的耐用性。宽泛的工作结温范围（-40°C至150°C）使其能够满足汽车与工业应用的严格要求。