VNL5090N3TR-E

VNL5090N3TR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的OMNIFET III系列中的一款高性能、高集成度智能功率开关。该器件基于先进的VIPower M0-9技术构建，将功率级、保护电路和接口逻辑集成在单片芯片上，实现了紧凑的SOT-223封装内的高功率密度。其核心是一个优化的N沟道垂直功率MOSFET，通过单片集成技术，将栅极驱动、电平转换以及复杂的保护与控制逻辑单元与功率开关无缝结合，从而在简化外部电路设计的同时，提供了卓越的可靠性和鲁棒性。

该器件设计用于直接由微控制器或逻辑电路驱动，其非反相的逻辑输入接口兼容3.3V和5V电平，简化了系统控制。作为一款低端开关，它能够承受高达36V的负载电压，并持续提供高达13A的输出电流，其典型导通电阻低至90毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗和温升。其内置的全面的故障保护机制是核心优势之一，包括固定阈值的限流保护、开路负载检测、过温关断以及过压钳位。特别是其带有自动重启功能的限流保护，在检测到过载或短路后，芯片会进入周期性重启尝试状态，直至故障消除，这为许多需要抗冲击和自恢复能力的应用提供了便利。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

在参数规格上，VNL5090N3TR-E展现了作为一款通用开关的灵活性。其1:1的输入输出比率和简单的开/关接口，使得控制逻辑直观明了。高达36V的最大负载电压使其适用于12V和24V系统。13A的最大输出电流能力结合低导通电阻，使其能够高效驱动各类阻性、感性和容性负载。全面的故障保护特性，如限流、开路检测和超温保护，被集成在芯片内部，无需外部元件即可实现，显著提升了系统级的安全性和设计简洁性。用户可以通过ST授权代理获取该产品的完整技术资料、样品及供货支持。

得益于其高集成度、强保护功能和易于使用的特性，VNL5090N3TR-E非常适合于汽车电子、工业控制及消费电子领域的各种负载驱动与配电管理场景。典型应用包括驱动继电器、电磁阀、小型电机、灯组等感性或阻性负载，也可用作电源轨的智能开关，为ECU模块、车身控制模块（BCM）中的子系统提供受保护的电源分配。其表面贴装的SOT-223封装和卷带包装也完全适应自动化生产的需求，是实现高可靠性、紧凑型功率开关解决方案的理想选择。

• 型号:VNL5090N3TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):-
• 电流 - 输出（最大值）:13A
• 导通电阻（典型值）:90 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:带有自动重启功能
• 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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VNL5090N3TR-E是ST意法半导体OMNIFET III系列中的一款单通道、低端N沟道智能功率开关。它采用先进的VIPower技术，在单片上集成了功率MOSFET、驱动及完备的保护电路，封装于紧凑的SOT-223中。

该器件核心特性包括高达36V的负载电压耐受能力和13A的持续输出电流，其导通电阻典型值仅为90毫欧，能有效降低导通损耗。它提供非反相逻辑输入，兼容3.3V/5V微控制器，并内置了限流（带自动重启）、开路负载检测、过温及过压保护，确保了驱动各类负载时的系统安全性与可靠性。其工作温度范围覆盖-40°C至150°C，适用于严苛环境。