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VNN3NV04PTR-E的图片

VNN3NV04PTR-E

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电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
原厂封装:供应商器件封装:SOT-223
优势价格,VNN3NV04PTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNN3NV04PTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体OMNIFET II系列的一员,VNN3NV04PTR-E是一款采用VIPower M0-3技术构建的单通道智能功率开关。该芯片集成了一个垂直的N沟道功率MOSFET及其相关的控制和保护电路,采用单片结构,实现了高水平的集成度与可靠性。其设计核心在于将逻辑电平输入信号高效、安全地转换为大电流负载驱动能力,同时通过内置的精密监控电路,为负载和系统本身提供全面的保护,简化了外围电路设计并提升了整体方案的鲁棒性。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大负载电压可达36V,并能持续提供高达3.5A的输出电流,而典型导通电阻仅为120毫欧,这确保了在驱动电机、继电器、灯组等感性或阻性负载时,能够实现极低的导通损耗和出色的能效表现。其接口设计简洁,采用非反相的开/关逻辑控制,兼容常见的微控制器GPIO电平,便于系统集成。更为关键的是,它内置了多重故障保护机制,包括固定阈值的限流保护过压钳位以及结温过热关断功能。当检测到异常情况时,器件会自动进入保护状态,并在故障条件消除后尝试自动恢复,这极大地增强了系统在恶劣电气环境下的耐用性和安全性。

在电气参数方面,VNN3NV04PTR-E采用低端输出配置,可直接置于负载与地之间。它一个显著的优势是无需独立的VCC或VDD供电引脚,其内部逻辑电路由负载电源通过内部结构自供电,这进一步简化了电源设计并节省了板级空间。其工作结温范围宽达-40°C 至 150°C,适用于要求严苛的工业与汽车环境。器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装,并提供卷带(TR)包装以适应自动化生产线需求,用户也可通过可靠的ST一级代理获取稳定的货源和技术支持。

凭借其高集成度、强大的驱动与保护能力,VNN3NV04PTR-E非常适合于需要可靠功率开关管理的应用场景。在汽车电子领域,它常用于驱动车身控制模块中的各种负载,如车窗升降电机、座椅调节电机、LED照明灯组以及燃油喷射器等。在工业自动化中,它可用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字输出模块、小型电机驱动器、电磁阀控制以及加热元件开关。此外,在电源分配管理、智能家电和办公设备中,它也能作为高效的负载开关,实现对风扇、泵、灯带等设备的可靠控制与保护。

  • 制造商产品型号:VNN3NV04PTR-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:OMNIFET II, VIPower
  • 零件状态:有源
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:36V(最大)
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):3.5A
  • 导通电阻(典型值):120 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-223
  • 想获取VNN3NV04PTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNN3NV04PTR-E是ST意法半导体推出的一款单通道智能高端开关,隶属于OMNIFET II系列并采用先进的VIPower技术。该器件集成了功率MOSFET、驱动及保护电路于一体,设计用于在-40°C至150°C的宽温范围内,安全可靠地开关最高36V电压、3.5A电流的各类负载。

其核心优势在于极高的集成度与内置的全面保护功能。器件具备120毫欧的低导通电阻,能有效降低功率损耗。同时,它集成了固定限流、过压钳位和过热关断等多重故障保护机制,无需外部复杂电路即可实现系统的自我保护与自动恢复。此外,该芯片采用简洁的开/关控制接口,且无需独立逻辑供电,极大简化了系统设计。

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