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VNP20N07-E的图片

VNP20N07-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,VNP20N07-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNP20N07-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNP20N07-E是ST意法半导体基于其先进的VIPower技术平台开发的一款单通道、低端配置的N沟道智能功率开关。该器件采用单片集成设计,将功率MOSFET、驱动电路以及全面的保护功能整合在一个封装内,实现了高集成度与高可靠性。其核心架构省去了传统分立方案中所需的栅极驱动电路和外部保护元件,不仅简化了系统设计,也显著提升了功率路径的稳健性。得益于VIPower技术,该芯片能够直接由逻辑电平信号控制大电流负载,是传统机电继电器或分立MOSFET加驱动IC方案的理想替代品。

该器件具备多项关键功能特性。其导通电阻典型值低至50毫欧,在承载高达14A的持续输出电流时,能有效降低导通损耗,提升系统整体能效。控制接口采用简单的开/关逻辑电平输入,兼容常见的微控制器GPIO,无需额外的电源供电(Vcc/Vdd),简化了外围电路。一个突出的特点是其集成的状态标志输出,能够实时反馈开关的负载状态,为系统诊断和智能控制提供了便利。在可靠性方面,芯片内置了多重故障保护机制,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位,这些保护功能都是自恢复或自保护的,确保了在恶劣的电气环境或负载异常情况下,器件自身和所驱动的负载都能得到有效保护,极大增强了应用的鲁棒性。

在电气参数方面,VNP20N07-E设计用于最高55V的负载电压环境,适用于12V或24V的汽车及工业总线系统。其非反相的逻辑输入特性使得控制逻辑直观易懂。器件采用经典的TO-220AB通孔封装,便于安装在散热器上以应对大电流工作下的热管理需求。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通损耗和内置保护,VNP20N07-E非常适合要求高可靠性的汽车电子应用,如驱动继电器、螺线管、灯泡、电机等感性或阻性负载。在工业自动化领域,它同样可用于可编程逻辑控制器(PLC)的输出模块、电源分配以及各种执行器的驱动。其简化的设计也有助于减少电路板面积和物料清单成本,是工程师设计紧凑、高效、可靠功率开关电路的优选解决方案。

  • 型号:VNP20N07-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:55V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):14A
  • 导通电阻(典型值):50 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:状态标志
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 想获取VNP20N07-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNP20N07-E是ST意法半导体推出的一款单通道智能功率开关,隶属于OMNIFET和VIPower系列。该器件集成了功率N沟道MOSFET和驱动保护电路,采用低端输出配置,可直接由逻辑信号控制,无需外部驱动电源。

其核心优势在于高达14A的负载驱动能力仅50毫欧的低导通电阻,能有效管理功率损耗。器件具备全面的内置保护功能,包括固定限流、过温关断和过压保护,并提供了状态标志输出用于系统诊断。采用TO-220AB封装,适用于需要高可靠性开关控制的汽车与工业应用。

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