VNS1NV04-E

VNS1NV04-E是ST意法半导体基于其先进的VIPower技术平台开发的OMNIFET II系列智能功率开关。该器件采用单片集成设计，将功率N通道MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合在一个紧凑的封装内，实现了高集成度与高可靠性。其核心架构省去了传统分立方案所需的额外栅极驱动和外围保护元件，简化了系统设计，特别适用于需要直接由逻辑信号控制功率负载的应用场景。

作为一款单通道低端开关，该器件设计用于驱动高达36V的负载，最大连续输出电流能力为1.7A。其导通电阻典型值仅为250毫欧，这一低导通特性有效降低了导通状态下的功率损耗和温升，提升了整体能效。器件采用非反相的开/关接口进行控制，输入信号与输出状态同相，逻辑电平兼容，使得微控制器或逻辑电路能够直接、简便地对其进行控制，无需电平转换电路。

在电气参数方面，VNS1NV04-E的一个显著特点是无需独立的Vcc或Vdd供电引脚，其内部电路直接从负载电源取电，进一步简化了电源布线。其坚固性体现在集成的多重故障保护机制上，包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位。这些保护功能在发生负载短路、过热或电源电压瞬变等异常情况时，能够自动且快速地关断功率级，有效保护开关自身及后续电路的安全。器件采用表面贴装型8-SO封装，工作结温范围宽达-40°C至150°C，适合在苛刻的工业环境中稳定运行。用户可以通过授权的ST代理商获取该产品的技术支持和供货信息。

凭借其集成化、易用性和高可靠性，该芯片广泛应用于汽车电子、工业自动化及消费电子领域。典型应用包括继电器、电磁阀、小型电机等感性或阻性负载的直接驱动，以及白炽灯负载的切换。它也常用于电源分配管理，作为受控的配电开关，为系统的子模块提供可开关的电源路径，是实现系统智能功率管理的理想选择。

• 型号:VNS1NV04-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:1.7A
• 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 想获取VNS1NV04-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS1NV04-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道、低端配置的智能功率开关。它集成了一个N通道功率MOSFET及其驱动保护电路，采用开/关式非反相逻辑接口控制，可直接由微处理器驱动，最大可切换36V电压与1.7A电流。

器件的核心优势在于高度的集成性与内置保护功能。其典型导通电阻低至250毫欧，能有效减少导通损耗。同时，它集成了限流、过温和过压保护，确保了在负载异常情况下的运行安全。该器件无需独立逻辑电源供电，采用8-SO表面贴装封装，工作温度范围宽，适用于要求高可靠性的汽车与工业负载控制应用。