VNV28N04-E

作为ST意法半导体OMNIFET与VIPower系列中的一员，VNV28N04-E是一款集成了先进保护功能的单通道N沟道智能功率开关。该器件采用单片结构，将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路集成于单一芯片之上，实现了高集成度与高可靠性。其核心架构基于ST成熟的VIPower技术，允许在无需外部供电（Vcc/Vdd）的情况下，直接通过逻辑电平信号控制高达19A的负载电流，这极大地简化了系统设计并减少了外围元件数量。

该器件具备多项突出的功能特点。其导通电阻典型值低至35毫欧，在最大负载电流下能有效降低导通损耗，提升整体能效。其接口设计为简单的开/关非反相输入，兼容常见的逻辑电平，便于与微控制器或逻辑电路直接连接。更为关键的是，它内置了多重故障保护机制，包括固定阈值限流保护、过温关断以及过压钳位，这些特性共同确保了在异常工况下（如负载短路、环境过热或电压浪涌）对自身及后端负载的可靠防护，显著增强了系统的鲁棒性。

在电气参数方面，VNV28N04-E设计用于低端开关配置，最大负载电压可达31V，使其能够灵活应用于12V或24V的汽车及工业电源总线。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，符合严苛环境下的应用要求。器件采用10-PowerSO的表面贴装封装，适合自动化生产。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案，但仍有库存可供既有系统维护，相关采购与技术咨询可通过ST中国代理进行。

凭借其高电流驱动能力、集成化保护以及宽温工作特性，该芯片非常适合要求高可靠性的汽车电子应用，如驱动继电器、灯泡、电机或电磁阀等阻性、感性与容性负载。在工业自动化领域，它同样可用于PLC输出模块、电源分配开关或作为各种执行器的理想驱动器，为系统提供安全、高效的负载控制解决方案。

• 制造商产品型号：VNV28N04-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
• 产品系列：电源管理IC - 配电开关，负载驱动器
• 包装：管件
• 系列：OMNIFET, VIPower
• 零件状态：停产
• 开关类型：通用
• 输出数：1
• 比率-输入:输出：1：1
• 输出配置：低端
• 输出类型：N 通道
• 接口：开/关
• 电压-负载：31V（最大）
• 电压-供电(Vcc/Vdd)：不需要
• 电流-输出（最大值）：19A
• 导通电阻（典型值）：35 毫欧（最大）
• 输入类型：非反相
• 特性：-
• 故障保护：限流（固定），超温，过压
• 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 供应商器件封装：10-PowerSO
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VNV28N04-E是ST意法半导体推出的一款单通道N沟道智能功率开关，隶属于OMNIFET与VIPower产品系列。该器件集成了功率MOSFET与驱动保护电路，无需外部Vcc供电，可通过逻辑信号直接控制，最大输出电流达19A，典型导通电阻仅为35毫欧，能有效降低功耗。

其核心优势在于内置了全面的故障保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护，确保了在短路、过热等异常条件下的高可靠性。器件采用低端输出配置，支持最大31V负载电压，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，采用10-PowerSO表面贴装封装，主要面向汽车与工业领域中的高边或低边负载驱动应用。