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STB100N6F7
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STB100N6F7价格
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STB100N6F7技术资料
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STB100N6F7
FET - 单
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
原厂封装:
TO-263-3,D2Pak
优势价格,STB100N6F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STB100N6F7的技术资料下载
STB100N6F7的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号: STB100N6F7
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
系列: STripFET F7
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 5.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1980pF @ 25V
功率 - 最大值: 125W
安装类型: 表面贴装
ST公司封装: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
ST出厂封装: D2PAK
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