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STB12NM50ND
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STB12NM50ND技术资料
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STB12NM50ND
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,STB12NM50ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STB12NM50ND的技术资料下载
STB12NM50ND的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STB12NM50ND
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:FDmesh? II
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):850pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):100W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:D2PAK
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