STB80NF55-08AG

STB80NF55-08AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向严苛应用环境的N沟道功率MOSFET。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive系列，采用先进的STripFET技术平台构建，专为需要高可靠性、高效率和高功率密度的汽车及工业应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，在DPAK封装内实现了卓越的电气和热性能。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通损耗。在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）被精心优化，最大值控制在112nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得在高频开关应用中也能保持良好的性能。其高达±20V的栅源电压（V_GS）容限提供了更强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STB80NF55-08AG具备55V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达80A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，能够承受较大的功率冲击。其最大功率耗散为300W（Tc），结合DPAK封装优异的散热特性，确保了器件在高温环境下的稳定运行。工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车级应用对温度范围的极端要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购与咨询。

基于其高性能与高可靠性，此器件非常适合作为主开关或同步整流元件，广泛应用于汽车领域的电机驱动（如水泵、油泵、风扇）、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及工业电源、DC-DC转换器和电机控制等场景。其表面贴装（SMD）的DPAK封装也便于自动化生产，提升制造效率。

• 型号:STB80NF55-08AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB80NF55-08AG是ST意法半导体生产的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET技术，在DPAK封装内实现了高电流处理能力与低导通电阻的优异组合。

其核心电气参数包括55V的漏源电压（V_dss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流。关键优势在于极低的导通电阻，在40A电流、10V栅极驱动下典型值仅为8毫欧，同时栅极电荷（Q_g）最大值控制在112nC，这共同确保了高效的电能转换与较低的开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应严苛的汽车与工业环境。