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STBV45

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 0.75A TO-92-3
原厂封装:封装:TO-92-3
优势价格,STBV45的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STBV45的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STBV45是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高压NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-92通孔封装。该器件基于成熟的硅平面工艺,其核心架构旨在提供可靠的电压阻断能力和适中的电流处理能力。集电极-发射极击穿电压高达400V,使其能够在高压侧开关或线性调节应用中稳定工作,内部结构经过优化,以平衡耐压、电流增益和饱和压降等关键参数。

在功能特性方面,集电极最大连续电流为750mA,配合最大950mW的功耗能力,使其适用于中小功率场景。其Vce饱和压降在135mA基极电流、400mA集电极电流条件下典型值仅为1.5V,有助于降低导通损耗,提升效率。直流电流增益(hFE)在400mA、5V条件下最小值为5,表明该器件更适合于开关或驱动应用,而非高增益放大。此外,集电极截止电流最大为250A,体现了良好的关断特性,ST授权代理可提供完整的技术支持与供应链服务。

该晶体管采用标准TO-92-3(TO-226AA)封装,便于通孔安装与散热,工作结温高达150°C,确保了在宽温范围内的可靠性。其接口简洁,三个引脚(发射极、基极、集电极)符合行业通用布局,易于在电路板上集成。虽然产品状态已标注为停产,但其设计参数在诸多传统或备品应用中仍具参考价值。

在应用场景上,STBV45典型适用于离线式开关电源的启动电路、电子镇流器、高压侧开关驱动以及继电器或小功率电机驱动等场合。其400V的耐压使其能直接处理整流后的高压直流,而750mA的电流能力足以驱动许多中小功率负载。在需要高压、中速开关且对成本敏感的设计中,此类器件曾是不可或缺的组成部分。

  • 型号:STBV45
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-92-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 0.75A TO-92-3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):750 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 135mA,400mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):5 @ 400mA,5V
  • 功率 - 最大值:950 mW
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
  • 供应商器件封装:TO-92-3
  • 想获取STBV45的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STBV45是ST意法半导体生产的一款高压NPN双极性晶体管,采用TO-92通孔封装。其核心特性包括400V的集射极击穿电压750mA的最大集电极电流,适用于需要中压阻断和中等电流开关的应用。

该器件在135mA基极电流、400mA集电极电流条件下的Vce饱和压降最大仅为1.5V,有助于降低导通功耗。最大功耗为950mW,工作结温可达150°C,确保了在紧凑空间和一定环境温度下的稳定运行。其直流电流增益(hFE)在400mA、5V条件下最小值为5,更适合开关与驱动功能。

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