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TS912BIDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TS912BIDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TS912BIDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TS912BIDT是ST意法半导体推出的一款双通道通用运算放大器,采用先进的CMOS工艺制造,隶属于通过AEC-Q100认证的汽车级产品系列,确保了其在严苛工业与汽车环境下的高可靠性。该器件采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装,并提供卷带(TR)和剪切带(CT)包装选项,便于自动化生产。

其核心架构基于CMOS技术,实现了极低的输入偏置电流(典型值1pA)和较低的输入失调电压(典型值2mV),这对于需要高输入阻抗和精密信号处理的应用至关重要。双通道的集成设计在节省电路板空间的同时,提供了设计灵活性。放大器具备满摆幅(Rail-to-Rail)输出特性,其输出电压范围可非常接近供电轨,从而在低电压单电源供电条件下最大化动态范围,有效提升信号处理能力。

在性能参数方面,TS912BIDT展现出均衡的特性。其增益带宽积为1.4MHz,压摆率达到1.3V/s,能够较好地处理中频范围内的信号变化。每通道静态电流消耗仅为230A,结合2.7V至16V(单电源)或±1.35V至±8V(双电源)的宽供电电压范围,使其非常适用于电池供电或对功耗敏感的设备。同时,高达75mA的输出电流驱动能力,使其能够直接驱动诸如小型继电器、LED阵列等负载,增强了应用的直接性。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,完全满足工业及汽车电子应用的要求。

该运算放大器的应用场景广泛,尤其适合需要低功耗、高精度和宽电压工作的领域。在汽车电子中,可用于传感器信号调理(如温度、压力传感器)、电源管理监控电路等。在工业控制领域,适用于过程控制仪表、数据采集系统中的前端放大、有源滤波器和电压跟随器。在便携式设备中,其低功耗和宽电压特性使其成为电池管理系统、便携式医疗监测设备中信号链路的理想选择。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过授权的ST代理商获取此型号及相关技术支持。

  • 型号:TS912BIDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:CMOS
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:1.3V/s
  • 增益带宽积:1.4 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:1 pA
  • 电压 - 输入补偿:2 mV
  • 电流 - 供电:230A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:75 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):2.7 V
  • 电压 - 跨度(最大值):16 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取TS912BIDT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TS912BIDT是ST意法半导体生产的一款双通道、CMOS、通用运算放大器,属于通过AEC-Q100认证的汽车级产品系列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装,提供卷带和剪切带包装。

其核心卖点在于极低的输入偏置电流(1pA)和满摆幅输出特性,结合2.7V至16V的宽单电源电压范围,使其在低电压、单电源供电系统中能实现优异的信号动态范围。同时,每通道仅230A的低静态电流和高达75mA的输出电流能力,在保证低功耗的同时提供了较强的负载驱动性能。

该放大器增益带宽积为1.4MHz,压摆率1.3V/s,工作温度范围-40°C至125°C,这些参数使其成为汽车电子、工业控制及便携式设备中传感器信号调理、有源滤波和通用放大的可靠选择。

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