TS883IST

ST意法半导体推出的TS883IST是一款双路、轨到轨输入/输出的纳米功耗比较器，其核心架构旨在满足极低电压与超低功耗应用场景的苛刻要求。该器件采用先进的CMOS工艺设计，能够在低至0.9V的单电源电压下稳定工作，同时将静态电流消耗控制在极低的430nA（最大值）水平，这对于依赖电池长期供电的便携式或远程设备而言是至关重要的特性。其轨到轨的输入和满摆幅的开路漏极输出架构，确保了在极宽电源电压范围（0.9V至5.5V）内，输入信号能够被完整检测，输出能够驱动至接近电源轨的电压水平，从而最大化信号动态范围并简化后级电路设计。

在功能表现上，TS883IST展现了出色的精度与鲁棒性。其输入偏置电流典型值极低，在5V供电下最大值仅为20pA，这极大地减小了信号源阻抗带来的误差，使其能够直接连接高阻抗传感器而无需额外的缓冲电路。同时，器件集成了3.1mV的内部滞后电压，有效防止了在阈值点附近因噪声引起的输出振荡，增强了系统在嘈杂环境中的可靠性。其高达78dB的共模抑制比（CMRR）和80dB的电源抑制比（PSRR），保证了在电源波动或共模噪声干扰下，比较阈值的稳定性和比较结果的准确性。

该芯片的接口与电气参数充分体现了其通用性与高集成度。它提供两个独立的比较器通道，采用节省空间的8引脚TSSOP或MSOP封装，支持表面贴装工艺。其输出为开路漏极结构，具备50mA的强电流吸入能力，可直接驱动LED、小型继电器或作为微控制器的中断信号。最大传播延迟为23s，在纳米功耗器件中保持了合理的响应速度，适用于多数非高速切换的监控与检测应用。宽泛的工作温度范围（-40°C至125°C）使其能够适应工业、汽车及户外环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其超低功耗、宽压工作及高精度的特性，TS883IST非常适合于电池供电的便携式医疗设备、无线传感器网络节点、能源采集系统、过压/欠压监控电路、窗口比较器以及各类需要长时间待机的电源管理模块。它能够有效延长终端产品的电池寿命，同时提供可靠的信号边界检测功能，是设计工程师在追求能效与可靠性平衡时的优选解决方案。

• 型号:TS883IST
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-MiniSO
• 类目:集成电路（IC） > 线性 > 比较器
• 描述:IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8MINISO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:标准（通用）
• 元件数:2
• 输出类型:开路漏极，满摆幅
• 电压 - 供电，单/双(±):0.9V ~ 5.5V
• 电压 - 输入补偿（最大值）:5mV @ 5V
• 电流 - 输入偏置（最大值）:20pA @ 5V
• 电流 - 输出（典型值）:50mA @ 5V
• 电流 - 静态（最大值）:430nA
• CMRR，PSRR（典型值）:78dB CMRR，80dB PSRR
• 传播延迟（最大值）:23s
• 滞后:3.1mV
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MiniSO
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TS883IST是ST意法半导体推出的一款双路、轨到轨输入/输出的纳米功耗比较器。其核心优势在于极低的功耗与宽广的工作电压范围，静态电流最大仅430nA，并能在0.9V至5.5V的单电源下稳定运行，专为对功耗极其敏感的长寿命电池应用而优化。

该器件具备出色的电气特性，包括极低的输入偏置电流（最大20pA @ 5V）和输入失调电压（最大5mV @ 5V），确保了高精度比较。其满摆幅的开路漏极输出可直接驱动负载，并内置3.1mV滞后以增强抗噪声能力。高达78dB的CMRR和80dB的PSRR进一步保障了在复杂环境中的性能稳定性。

采用紧凑的8引脚TSSOP/MSOP封装，TS883IST适用于-40°C至125°C的工业温度范围，是便携式设备、传感器接口、电源监控和各类低功耗检测电路的理想选择。