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SD1727

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:RF TRANS NPN 55V M164
原厂封装:封装:M164
优势价格,SD1727的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SD1727的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SD1727是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管,采用NPN型双极结型晶体管(BJT)架构,专为要求高功率输出和稳定性的射频应用而设计。其核心基于硅基工艺,采用M164封装并配合底座接线柱安装方式,确保了器件在高功率工作状态下具备卓越的散热性能和机械可靠性,结温(TJ)最高可支持至200°C,为严苛环境下的连续工作提供了保障。

该器件在射频功率放大方面表现出色,其最大集电极电流(Ic)可达10A,并能在集射极击穿电压高达55V的条件下稳定工作。尤为突出的是其最大输出功率达到233W,配合约14dB的功率增益,使其能够在高频段高效地将小信号放大至较高的功率水平。在直流特性上,其在典型工作点(1.4A, 6V)下的电流增益(hFE)最小值为18,这为设计提供了稳定的偏置基础。对于需要可靠元器件供应的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

在接口与参数层面,SD1727的封装设计优化了高频性能与功率耗散。M164封装结合接线柱安装,便于实现低电感连接和高效的热管理,这对于维持射频功率器件的效率和长期可靠性至关重要。其高击穿电压和高电流能力使其能够适应较宽的供电电压范围和动态负载变化。

基于其高功率和增益特性,SD1727非常适合应用于专业通信、广播发射机、工业加热以及某些特定频段的射频能量系统中,作为末级或驱动级功率放大核心元件。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能指标,使其在现有系统的维护或特定存量项目中仍具有重要的参考和应用价值。

  • 型号:SD1727
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:M164
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 55V M164
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):55V
  • 频率 - 跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:14dB
  • 功率 - 最大值:233W
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):18 @ 1.4A,6V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座,接线柱安装
  • 封装/外壳:M164
  • 供应商器件封装:M164
  • 想获取SD1727的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SD1727是ST意法半导体生产的一款NPN型射频功率双极晶体管,采用M164封装及接线柱安装。其核心设计针对高功率射频放大应用,具备55V的高集射极击穿电压10A的最大集电极电流能力。

该器件在功率输出方面表现卓越,最大输出功率高达233W,并提供约14dB的功率增益,能够高效驱动后续负载。其直流电流增益(hFE)在典型工作条件下最小值为18,确保了放大级的线性与稳定性。高达200°C的最大结温使其适用于热环境要求较高的场景。

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