STFH13N60M2

STFH13N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达11A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，例如在10V栅极驱动电压、5.5A漏极电流时，Rds(on)最大值仅为380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC（@10V），结合580pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并实现更高的开关频率，从而减小系统中磁性元件的体积。

器件采用TO-220FP封装，这是一种经典的绝缘型通孔封装，提供了良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散为25W（Tc）。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的驱动安全余量，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，STFH13N60M2非常适用于对效率和可靠性有严格要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，降低运行温度，并有助于实现更紧凑的电源设计方案。

• 型号:STFH13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFH13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压、高功率应用，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电气性能基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为380毫欧，有效降低了导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值17nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。器件采用TO-220FP绝缘封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。