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MMBT3906

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,MMBT3906的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBT3906的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

MMBT3906是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的通用型PNP双极性结型晶体管(BJT),采用表面贴装SOT-23-3封装。其核心架构基于成熟的硅平面工艺,构建了一个由P型发射区、N型基区和P型集电区组成的半导体结构。这种结构决定了其作为电流控制型器件的本质,即通过微小的基极电流来控制较大的集电极电流,从而实现信号的放大或开关功能。器件内部通过精确的掺杂和结深控制,确保了电气参数的稳定性和一致性。

该晶体管具备多项关键电气特性,使其在通用低频和小信号应用中表现出色。其集电极-发射极击穿电压高达40V,提供了良好的电压裕量,适用于多种电源环境。最大连续集电极电流为200mA,足以驱动继电器、LED阵列或作为其他负载的开关。在饱和状态下,其集电极-发射极饱和压降典型值较低,例如在Ic=50mA, Ib=5mA条件下,Vce(sat)最大值仅为400mV,这意味着在导通状态下功耗较低,效率较高。此外,其直流电流增益(hFE)在典型工作点(Ic=10mA, Vce=1V)下最小值为100,提供了良好的电流放大能力。高达250MHz的过渡频率使其也能胜任一些中频信号处理任务。

在接口与参数方面,MMBT3906遵循标准的三引脚(发射极、基极、集电极)SOT-23封装,便于自动化贴装和节省PCB空间。其最大功耗为350mW,结合高达150°C的结温(TJ)额定值,确保了在一般环境下的可靠运行。虽然该器件目前已处于停产状态,但其设计经典、参数均衡,在库存和替代型号选择上,用户仍可通过正规的ST代理渠道进行咨询。其参数组合40V耐压、200mA电流、100以上的增益和250MHz的带宽定义了一个非常实用的通用晶体管性能区间。

基于上述特性,MMBT3906的传统应用场景十分广泛。它常被用于模拟电路中的小信号放大,例如音频前置放大级或传感器信号调理电路。在数字电路中,它可作为电平转换器、逻辑反相器或驱动接口,控制LED、蜂鸣器等外围设备。其开关特性也使其适用于低侧开关配置,用于控制电机、继电器等负载的通断。此外,在稳压电源、振荡器以及作为其他集成电路的互补配对管等电路中,也经常能看到它的身影。尽管面临新型器件的竞争,但其在成本敏感型、对性能要求适中且设计成熟的电子产品中,依然具有参考价值和应用基础。

  • 型号:MMBT3906
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取MMBT3906的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

MMBT3906是ST意法半导体推出的一款通用PNP双极性晶体管,采用SOT-23-3表面贴装封装。该器件核心参数均衡,集电极-发射极击穿电压为40V,最大集电极连续电流为200mA,直流电流增益(hFE)最小值达100@10mA/1V,能够提供有效的电流放大与控制能力。

其低至400mV@50mA的饱和压降有助于降低导通损耗,而250MHz的过渡频率则支持中低频信号处理。这些特性使其成为一款适用于小信号放大、低速开关、电平转换及外围设备驱动等通用场景的经典晶体管解决方案。尽管产品状态已标注为停产,其设计规格在相关应用领域仍具参考意义。

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