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    STD11N60M2-EP的图片

    STD11N60M2-EP

    ST图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
    原厂封装：DPAK
    优势价格，STD11N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STD11N60M2-EP的技术资料下载
    电话询问价格
    STD11N60M2-EP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STD11N60M2-EP
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：MDmesh? M2-EP
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：595 毫欧 @ 3.75A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：390pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：85W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DPAK
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