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STD11NM60N

ST图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
原厂封装:DPAK
优势价格,STD11NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STD11NM60N的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号:STD11NM60N
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:MDmesh? II
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):31nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):850pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):90W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DPAK
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