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STD15N60DM6的图片

STD15N60DM6

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

原厂封装：DPAK

优势价格，STD15N60DM6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STD15N60DM6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STD15N60DM6

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：MDmesh?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：338 毫欧 @ 6A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：607pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：110W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：DPAK

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